ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

8.2.1.1 设计要求

表 8-1 总结了在设计热插拔电路之前，必须了解的设计参数。通过热插拔 MOSFET 为输出电容器充电时，FET 的总能量耗散等于输出电容器中存储的总能量 (1 / 2CV2)。因此，输入电压和输出电容决定了 MOSFET 在启动期间承受的应力。最大负载电流决定了电流限值和检测电阻选型。此外，PCB 的最大负载电流、最高环境温度和热属性 (RθCA) 会影响 MOSFET 的选择，包括 RDSON 和使用的 MOSFET 数量。RθCA 与布局以及连接至 MOSFET 漏极的覆铜量之间存在密切关系。请注意，漏极未以电气方式连接至接地平面；因此，无法使用接地平面来帮助散热。本设计示例使用 RθCA = 25°C/W，与 LM5066H1 和 LM5066H2 评估模块类似。良好的做法是在物理 PCB 可用后，测量给定设计的 RθCA。

最后，了解热插拔需要通过哪些测试条件非常重要。通常，热插拔电路的设计需同时通过热短路与启动时短路两项测试要求，具体描述参见前一节。此外，德州仪器 (TI) 建议在热插拔完全加电之前保持负载关断状态。尽早启动负载会导致 MOSFET 承受不必要的应力，并可能导致 MOSFET 故障或启动失败。

表 8-1 设计参数
参数示例值
输入电压范围40 至 60V
最大负载电流100A
热插拔的最大输出电容5mF
最高环境温度55°C
MOSFET RθCA（取决于布局）25°C/W
通过“输出热短路”测试？是
通过“启动至短路”测试？是
在 PG 置位之前，负载是否关闭？是
是否可以重新插入热板？是