ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

8.4.1 布局指南

设计 LM5066Hx 的 PC 板时，应遵循以下指南：

  1. 将 LM5066Hx 放置在靠近电路板输入连接器的位置，以尽可能减小从连接器到 MOSFET 的布线电感。
  2. 将 TVS Z1 直接靠近 LM5066Hx 的 VIN 和 GND 引脚放置，以帮助尽可能地减少输入电源线路上可能出现的电压瞬变。选择 TVS 时应确保峰值 VIN 略低于 TVS 反向偏置电压。当负载电流关闭时，很容易在标称输入电压基础上出现 20V 或更高的瞬变电压。德州仪器 (TI) 建议通过对负载进行限流或短路操作，并测量输入电压瞬变峰值，以此测试电路的 VIN 瞬变性能。
  3. 将 1µF 陶瓷电容器放置在尽可能靠近 VREF 引脚的位置。
  4. 将 1µF 陶瓷电容器放置在尽可能靠近 VDD 引脚的位置。
  5. 检测电阻 (RSNS) 应靠近 LM5066Hx 放置。应使用布线将检测电阻的 VIN 焊盘和 Q1 焊盘分别连接至 VIN_K 和 SENSE 引脚。使用开尔文技术连接 RSNS，如 图 8-22 所示。
  6. 为最大限度减小环路电感，从板输入到负载的大电流路径（通过 Q1）以及返回路径应相互平行且彼此靠近。
  7. AGND 和 GND 连接应在该器件的引脚上连接。LM5066Hx 周围各种元件的接地连接应直接相互连接，并连接至 LM5066Hx 的 GND 和 AGND 引脚连接，然后在某处连接至系统接地。请勿通过大电流接地线将各种元件接地相互连接。
  8. 为串联导通器件 (Q1) 提供足够的散热，以帮助降低导通和关断期间的应力。
  9. 电路板的边缘连接器可按如下方式设计：使 LM5066Hx 能通过 UVLO/EN 引脚检测到电路板已被移除，并通过在电源电压断开之前关闭负载进行响应。例如，在 图 8-21 中，由于使用了较短的边缘连接器引脚，在从 LM5066Hx 上移除 VIN 之前，UVLO/EN 引脚上的电压会接地。当电路板插入边缘连接器时，在 UVLO 电压升高之前，系统电压会施加到 LM5066Hx 的 VIN 引脚上，从而使 LM5066Hx 能够以受控的方式打开输出。