ZHCSZ22 October 2025 LM5066H
ADVANCE INFORMATION
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
浪涌电流应保持足够低，以便在启动期间使 MOSFET 保持在其 SOA 范围内。请注意，无论浪涌时间如何，MOSFET 在启动期间的总能量耗散都是恒定的。因此，只要负载在启动过程中关闭，将启动时间延长，始终可以降低 MOSFET 承受的应力。
选择目标压摆率时，应选择一个合理的数字，检查 SOA，并在必要时降低压摆率。以 0.3V/ms 为起点，浪涌电流可按如下方式计算：
假设最大输入电压为 60V，启动大约需要 200ms。请注意，FET 的功率耗散从 VIN,MAX × IINR 开始，并随着 MOSFET 的 VDS 降低而降至 0。请注意，SOA 曲线假设在给定时间内具有相同的功率耗散。保守的方法是采用等效功率曲线，其中 PFET = VIN,MAX × IINR (t = tstart-up /2)。在本例中，可以通过查看 60V、1.5A、100ms 脉冲来检查 SOA。使用 PSMN2R3-100SSE MOSFET 数据表中的 SOA 图，MOSFET 可以在 25°C 的环境温度下处理 60V、6A 电流并持续 100ms。该值也必须根据温度进行降额计算。对于该计算，假设当插入电路板时 TC 可以等于 TC,MAX。这仅在拔下热板，然后在热板冷却之前插回时才会发生。对于许多应用来说这是最坏的情况，可使用 TA,MAX 来实现这种降额计算。
该计算表明，如果压摆率为 0.3V/ms，MOSFET 在启动期间完全保持在其 SOA 范围内。请注意，如果负载在启动期间关断，则无论压摆率如何，FET 中耗散的总能量都是恒定的。因此，较低的压摆率始终会对 FET 施加较小的应力。为确保压摆率不超过 0.3V/ms，应按如下方式选择 Cdv/dt：
选择最接近的值 68nF。接下来，可以计算出典型压摆率为 0.31V/ms，如 方程式 6 所示，对应的典型启动时间约为 200ms。