ZHCSZ22 October 2025 LM5066H
ADVANCE INFORMATION
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
LM5066Hx 在 10mV 至 50mV 范围内的八个可编程阈值下提供限流保护。当检测电阻 RSNS 上的电压(在 VIN_K 和 SENSE 引脚之间)超过选择的阈值时,将会激活电流限制。可以直接使用 CL 引脚设置两个阈值:当 CL 连接至 VDD 时为 25mV,当 CL 连接至 GND 时为 50mV。可通过 PMBus 接口对 DEVICE_SETUP1 和 DEVICE_SETUP2 寄存器进行编程,从而获得其余六个阈值。
在过流事件期间,该器件提供两种保护模式:过流消隐和电流限制。根据配置,这些模式可以独立运行或按顺序运行。
在过流消隐模式下,只要负载电流保持在断路器阈值 (VCB) 以下,器件就允许负载电流在设定的时间段内流动,而不加以限制。LM5066Hx 采用两个配备单独计时器的过流消隐阈值:
VCBL1,配备计时器 tCBL1,用于中等过流
VCBL2,配备计时器 tCBL2,用于更高的过流
这些阈值和计时器在 DEVICE_SETUP3 和 OC_BLANKING_TIMERS 寄存器中进行配置。通常,VCBL1 设置为高于 VCL,VCBL2 设置为高于 VCBL1。对于 VCL 和 VCBL2 之间的负载电流,tCBL1 计时器激活。对于 VCBL1 和 VCBL2 之间的负载电流,tCBL2 计时器激活。
如果电流在到期前降至相应阈值以下,计时器将会复位。如果任一计时器由于长时间过载而到期,器件将转换至电流限制模式。在 LM5066H2 中,当任一计时器到期时,GATE2 会立即关闭。可通过将 tCBL1 和 tCBL2 设置为 0 μs 来禁用过流消隐模式。
在电流限制模式下,会对 GATE 电压进行调节,以便将由 GATE1 驱动的流经 MOSFET 的电流限制在设定的电流限制阈值。故障计时器在电流限制期间激活。如果负载电流在故障计时器到期之前降至限流阈值以下,则恢复正常运行。如果电流限制持续超过 CTMR 设置的故障超时周期,GATE1 将会关闭。可以通过设置 DEVICE_SETUP3 中的位 7 来禁用电流限制。禁用后,当任一消隐计时器到期时,GATE1 和 GATE2 都会在消隐阶段后关闭。当发生电流限制故障时,器件会在 STATUS_INPUT (7Ch)、STATUS_WORD (79h) 和 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 寄存器中设置故障标志,并将 SMBA 引脚置为有效。可使用 ALERT_MASK (D8h) 寄存器禁用 SMBA 信令。为确保可靠运行,RSNS 电阻值不应超过 200mΩ,以避免电流限制控制环路出现不稳定。
| 参数 | 可配置阈值数量 | 阈值 | 模拟/数字 |
|---|---|---|---|
| 过流限制阈值 VCL | 8 | 10mV、12.5mV、15mV、17.5mV、20mV、22.5mV、25mV 和 50mV | 模拟 |
| 过流消隐 1 阈值,VCBL1 | 4 | 1.25xVCL、1.5xVCL、1.75xVC、2xVCL | 模拟 |
| 过流消隐 2 阈值,VCBL2 | 4 | 1.5xVCL、1.75xVCL、2xVCL、2.25xVCL | 模拟 |
| 断路器阈值,VCB | 4 | 1.2xVCL、2xVCL、3xVCL、4xVCL | 模拟 |
| 短路保护阈值,VSCP | 1 | 1.5xVCB | 模拟 |
| 启动期间的折返因子 | 3 | 0.05xVCL、0.1xVCL | 模拟 |
| 过流消隐计时器 1 | 16 | 0ms - 100ms | 数字 |
| 过流消隐计时器 2 | 16 | 0ms -10ms、100ms | 数字 |
| 断路器消隐时间 | 1 | 100us | 模拟 |
调节计时器 (恒流计时器/P2t 计时器) | 通过计时器引脚设置 | 可使用 CTIMER 进行配置 | 模拟 |
| P2t 计时器 - 插入计时器 | 4 | 10ms – 100ms | 数字 |
| P2t 计时器 - 重试计时器 | 16 | 10ms – 10s | 数字 |
| 启动/重试期间的看门狗计时器 | 16 | 10ms – 10s | 数字 |