ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

7.3.5 功率限制

LM5066Hx 采用 MOSFET 功率限制功能，可保护外部 FET 不在其安全工作区 (SOA) 外工作。该功能通过测量由 GATE1 驱动的 MOSFET 的漏源电压（SENSE 至 OUT）和通过检测电阻 RSNS（VIN_K 至 SENSE）的漏极电流来监测其功率耗散。可以使用 PWR 引脚上的电阻器来设置功率限制阈值。

当功率耗散达到限制阈值时，器件会关断 GATE2 并调制 GATE1 电压，以调节通过 Q1 的电流。在功率限制期间，故障调节计时器激活。如果功率限制条件持续超过 CTMR 电容器设置的故障超时周期，GATE1 将会关断。该事件会设置 STATUS_INPUT (7Ch) 寄存器中的 IIN_OC 故障位、STATUS_WORD (79h) 寄存器中的 INPUT 位以及 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 寄存器中的 IIN_OC/PFET_OP_FAULT 位。除非通过 ALERT_MASK (D8h) 寄存器禁用，否则 SMBA 引脚也会置为有效。

对于输入电压可能会发生阶跃变化（例如 45V 至 55V）的应用，该器件包含功率限制消隐模式。在正常运行期间，随着 VDS 的增加，恒定功率限制曲线中的电流限制阈值会降低。这可能会导致器件在高负载下的整个故障计时器持续时间内保持功率限制模式，从而可能关断 FET。功率限制消隐通过在 VDS 低于 VPLIM,BL 阈值时禁用电流限制折返来解决该问题。这样就允许更大的电流流动并为输出电容器充电，同时为负载提供服务，从而帮助输出电压达到输入电压，而无需关断 MOSFET。VPLIM,BL 阈值可通过 DEVICE_SETUP4 寄存器的位 0:1 进行配置。

在 VDS 区域低于 VPLIM,BL 时，由于电流限制折返在功率限制消隐模式下被禁用，FET 功率耗散将超过 PLIM。此功能仅在稳定状态下运行（当 PG = 高电平时），在启动或重试条件下不可用。为了使 FET 保持在其 SOA 范围内运行，数字计时器在功率限制消隐模式期间激活。该计时器应由设计人员配置，通常设置为短于调节计时器持续时间。

该器件针对不同的工作条件提供灵活的配置选项，允许根据系统要求选择性启用 SFT_STRT 至 GATE1 连接、电流限制、功率限制消隐模式、过流消隐和折返电流限制。

LM5066H 功率限制曲线图 7-2 功率限制曲线.