ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

7.4.3 故障计时器和重启

当在启动或其他故障事件期间超过电流或功率限制阈值时，该器件会调节 GATE1 电压，以控制负载电流并限制初级 FET (Q1) 中的功率耗散。在这些调节时段内，75μA 电流源为连接至计时器引脚的外部故障计时器电容器 (CTMR) 充电，对于 LM5066H2，GATE2 将保持完全关断状态。如果在计时器引脚电压达到 3.9V 之前限制条件解决，该器件将恢复正常工作，并且 CTMR 通过 10mA 灌电流进行放电。但是，如果计时器引脚电压在仍处于限制模式时达到 3.9V，GATE1 会通过 10mA 或 1.5A 下拉电流关断。后续的重新启动行为取决于所选的重试配置。

当 RETRY 引脚为高电平时，该器件会在故障超时期结束后将 GATE 锁存为低电平。然后，计时电容器通过 2.5μA 灌电流向地放电。GATE 保持低电平，直到通过对输入电压进行上下电循环或使用集电极开路或漏极开路器件短暂地将 UVLO/EN 引脚拉至其阈值以下来从外部启动上电序列。为了成功重新启动，计时器引脚电压必须低于 0.3V。在该锁闭关断条件下，DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 寄存器中的 TIMER_LATCHED_OFF 位保持置位状态。

LM5066H 锁存故障重启控制图 7-4 锁存故障重启控制

LM5066Hx 采用用于故障恢复的可配置自动重试机制。在故障超时期间之后，器件启动自动重启序列，在此期间计时器引脚会在 3.9V 至 1.2V 之间循环七次。每个周期的持续时间取决于外部计时器电容 (CTMR) 值，以及内部 75μA 充电电流和 2.5μA 放电电流。在第八次高电平到低电平转换期间，当计时器引脚电压达到 0.3V 时，器件会激活 GATE 引脚上的 21μA 电流源，以开启外部 MOSFET (Q1)。如果故障情况仍然存在，则故障超时周期和重启序列会根据编程的重试设置重复。可通过 RETRY 引脚选择基本重试行为，支持“无重试（闭锁关断模式）”或“无限重试”两种模式。为了实现更精确的控制，DEVICE_SETUP 寄存器 (D9h) 支持选择特定重试计数：0、1、2、4、8、16 或无限。这种可编程性使系统设计人员能够根据应用要求优化故障恢复行为。

计时器放电电流可通过 DEVICE_SETUP4 寄存器的位 6 配置为 2.5μA 或 75μA。重试延迟时序可以使用带有外部电容器的模拟故障计时器或数字计时器，可通过 DEVICE_SETUP4 的位 2:3 进行选择。使用数字时序时，可使用 DELAY_CONFIG 寄存器的位 4:7 在 10ms 至 10s 的范围内，对重试延迟周期进行编程。

LM5066H 重启序列图 7-5 重启序列