ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

7.4.2 栅极控制

LM5066H1 提供单栅极驱动，能够并联驱动多个 MOSFET。LM5066H2 采用双通道栅极驱动架构，针对高功率热插拔应用优化了 MOSFET 选择。GATE1 可在双栅极配置下驱动单个稳健的 SOA MOSFET，或在单栅极模式下驱动多个 MOSFET。在 21μA 栅源电流的情况下，GATE1 可提供受控导通功能，以便实现基于有效浪涌电流限制或功率限制的启动。对于 LM5066H1，dV/dt 电容器可直接从 GATE1 连接至 GND；对于 LM5066H2，dV/dt 电容器可跨接在 SFT_STRT 与 GND 之间，以进一步管理浪涌电流。在电流限制或功率限制条件下，该器件会调节 GATE1，同时保持 GATE2 关闭。

在双路栅极运行中，GATE2 驱动多个低 RDS(ON) MOSFET，以实现正常运行。为了保护这些 MOSFET，只要 VDS 超过 2V，GATE2 就会关断，从而防止启动、短路情况或电流/功率限制事件期间产生功率应力。仅当 GATE1 VGS 超过 8V 且 VDS 降至 2V 以下时，GATE2 才会激活。更高的栅源电流 (130μA) 可使多个并联 MOSFET 快速导通。

如果发生以下任何事件，则 LM5066Hx 的 GATE1 和 GATE2 已关闭：

  • 过流消隐和调节故障计时器到期后，电流超过电流限制阈值

  • MOSFET 中的功率耗散超过功率限制阈值，调节故障计时器到期

  • 欠压或过压条件

  • 断路器或短路保护

  • 过热、MOSFET 损坏检测或看门狗超时故障

  • PMBus 命令、OPERATION 或 POWER CYCLE 命令用于设置输出禁用

在稳定状态下，当发生以下任何条件时，GATE2 将关断，GATE1 保持导通或处于稳压状态，

  • VDS 出于任何原因都超过 2V

  • 电流限制或功率限制操作开始

一个内部电荷泵向两个输出端提供栅极电压，在正常运行时在栅极上产生约 13.5V 的电压。在初始上电期间，10mA 下拉电阻可防止米勒电容效应导致不必要的 MOSFET 激活。

在插入期间，10mA 下拉电流使两个栅极保持低电平。插入后，GATE1 电压进行调制，在计时器电容器充电时，将电流和功率保持在编程的限值范围内。如果在计时器达到 3.9V 之前限制条件得到解决，电容器将放电并开始正常运行。如果限制持续到计时器达到 3.9V，GATE1 会拉至低电平，直到重试。

LM5066Hx 可针对各种故障条件提供可配置的栅极下拉强度（10mA 或 1.5A），以灵活匹配系统要求。

参数条件GATE1GATE2
源电流正常运行21μA130μA
灌电流VUVLO < VUVLOTH

10mA /1.5A

可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 0 中进行选择

VOVLO > VOVLOTH

10mA /1.5A

可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 1 中进行选择

OC / FET Plim 故障

调节计时器到期后

10mA /1.5A

可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 4 中进行选择

x

消隐计时器到期，

器件进入电流/功率限制

x

10mA /1.5A

可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 3 中进行选择

数字故障/命令

（OT、FET_FAIL、运行、下电上电、WD 到期）

10mA /1.5A

可在 DEVICE_SETUP5 寄存器的位 2 中进行选择

CB / SCP1.5A

VIN < POR

插入时间

10mA
最大稳压灌电流OC/FET Plim 限制235μAx