ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

7.3.11 MOSFET 损坏检测

LM5066Hx 具有 MOSFET 故障检测功能，可在特定条件下识别外部 MOSFET 的损坏情况。该器件监测两种主要的故障类型：

在以下情况下检测漏源极或漏栅故障：

  • 在插入期间，检测电阻上的电压超过 2mV (VSNS > 2mV) 或 FET 上的电压降至 2V 以下 (VDS < 2V)

  • 启动后，如果栅极由于任何故障而关断，且检测电阻电压在 1ms 后保持在 2mV 以上

当以下情况下，检测栅源或漏栅故障：

  • 在 GATE1 设置为高电平后，VGS1 保持低于 4V 的时间超过 500ms

  • 在 GATE2 设置为高电平后，VGS2 保持低于 4V 的时间超过 500ms

当检测到漏极故障时，会更新多个状态寄存器，STATUS_WORD (79h) 中的 FET FAIL 位，STATUS_MFR_SPECIFIC (80h) 和 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 中的 EXT_MOSFET_SHORTED 位，以及 STATUS_MFR_SPECIFIC 中的 FET_FAULT_DRAIN 位。SMBA 引脚会置为有效，除非通过 ALERT_MASK 寄存器 (D8h) 进行禁用。

对于栅极故障，器件会在 STATUS_WORD (79h) 中设置 FET FAIL 位，在 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h) 和 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 中设置 EXT_MOSFET_SHORTED 位。此外，若为 GATE1 故障，设置 STATUS_MFR_SPECIFIC 中的 FET_FAULT_GATE1 位，若为 GATE2 故障，设置 FET_FAULT_GATE2 位。检测到 GATE 类型故障后，可以通过设置 GATE_MASK (D7h) 寄存器中的位 6，将 GATE1 和 GATE2 配置为关断状态。