ZHCSZ22 October   2025 LM5066H

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
8.2.1.2.1 选择热插拔 FET

为热插拔设计选择正确的 MOSFET 至关重要。器件必须满足以下要求：

  • VDS 额定值应足以处理最大系统电压以及瞬态过程引起的任何振铃电压。对于大多数 54V 系统，100V FET 是不错的选择。
  • FET 的 SOA 应足以处理所有用例：启动、热短路和启动至短路。
  • RDSON 应足够低，以便保持结温和外壳温度低于 FET 的最大额定值。实际上，德州仪器 (TI) 建议将稳态 FET 温度保持在 125°C 以下，以便留出处理瞬态的裕度。
  • 最大持续电流额定值应高于最大负载电流，脉冲漏极电流则必须大于断路器的电流阈值。通过前三项要求的大多数 MOSFET 也通过了这两项标准。
  • 由于 LM5066Hx 可将栅极电压上拉至相对源极高达 16V，因此要求 VGS 额定值为 ±20V。

在本设计中，选择了 PSMN2R3-100SSE，因为它具有低 RDSON 和出色的 SOA。在此设计示例中，并联使用了四 (4) 个 MOSFET。选择 MOSFET 后，可按如下方式计算最大稳态外壳温度：

方程式 1. LM5066H

请注意，RDSON 是结温的强大函数，对于大多数 LFPAK88 MOSFET 而言，它非常接近外壳温度。可能需要对前面的公式进行一些迭代，以收敛最终的 RDSON 和 TC,MAX 值。根据 PSMN2R3-100SSE 数据表，其 RDSON 在 120°C 时为 1.75 倍。方程式 2 使用此 RDSON 值计算 TC,MAX。请注意，计算得出的 TC,MAX 接近为 RDSON 假设的结温。因此，无需进一步迭代。

方程式 2. T C , M A X = 55 ° C + 25 ° C W × 100 A 4 2 × 1.75 × 2.3 m Ω = 118 ° C