ZHCAES3B December 2024 – September 2025 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1 , AM625SIP
已附接存储器(DDR4 或 LPDDR4)的基线驱动阻抗和 ODT 设置源自对 SK 执行的信号完整性 (SI) 仿真。
建议对定制电路板设计进行仿真,以最终确定这些值,因为配置值可能与 SK 原理图实现不同。
执行仿真时,可以参考以下常见问题解答:
[常见问题解答]将 DDR IBIS 模型用于 AM64x、AM243x (ALV)、AM62x、AM62L、AM62Ax、AM62D-Q1、AM62Px
要了解高速 LPDDR4 接口的电路板提取、仿真和分析方法,请参阅 AM62x、AM62Lx DDR 电路板设计和布局布线指南 应用手册的 LPDDR4 电路板设计仿真 一章。
使用 SysConfig 上的 DDR 寄存器配置工具 调节驱动强度。
有关配置 DDRSS 寄存器的更多信息,请参阅以下常见问题解答:
[常见问题解答] AM62A7/AM62A3/AM62A1-Q1/AM62D-Q1 定制电路板硬件设计 — 处理器 DDR 子系统和器件寄存器配置
这是通用常见问题解答,也可用于 AM625、AM623、AM620-Q1、AM625-Q1 处理器系列。
有关 PDN 电源 SI 仿真的相关问题,请参阅以下常见问题解答:
[常见问题解答] AM62A3-Q1:AM62A3-Q1 PDN Power SI 仿真问题
这是通用常见问题解答,也可用于 AM625、AM623、AM620-Q1、AM625-Q1、AM625SIP 处理器系列。