ZHCAES3B December 2024 – September 2025 AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1 , AM625SIP
LVCMOS (SDIO) 输入具有指定压摆率要求(作为电气规格的一部分)。不建议将慢速斜升输入(信号)直接连接到 LVCMOS (SDIO) 输入。如果所施加的输入(信号)在 VIHSS 和 VILSS 之间的电压区域花费更多时间,那么输入缓冲器可能存在长期可靠性问题(关注点)。允许的转换时间(建议)小于 <1000ns。压摆率与频率存在相关性。当信号切换速率不高(与频率无关的限制)时,建议使用 1000ns 的最大压摆率。当 IO 在 1.8V 电压下工作时(示例),如果信号切换速率 < 100kHz,1.8E+6V/s 的非频率相关限值将成为较大的值。当信号切换速率 >100kHz 时,18fV/s(f = 输入信号的切换频率,以 Hz 为单位)的频率相关限值会变为较大的值。当施加慢速斜升输入时(如果输入为中点电压),击穿电流将从 VDD 通过部分导通的 P 沟道晶体管和部分导通的 N 沟道晶体管流向 VSS。慢速斜升输入的累积暴露会导致 IO 性能、电路板性能或处理器可靠性问题。
不建议将大电容器直接连接至 LVCMOS (SDIO) 输出端。LVCMOS (SDIO) 输出缓冲器不适用于驱动大型容性负载。当 LVCMOS (SDIO) 型 IO 配置为输出,并在输出端连接电容器时,建议遵循处理器特定的数据表建议,以获得允许的电容器值,或添加串联电阻器以限制 IO 电流消耗。建议执行仿真,以便最终确定电容器值。