为了保护 USB 10Gbps,请遵循与每个引脚相关的参数列表:
- D+、D-、TX1+、TX1-、RX1+、RX1-、TX2+、TX2-、RX2+、RX2-
- 工作电压:建议保护二极管的反向工作电压 (VRWM) 大于或等于受保护系统的工作电压。对于 USB 10Gbps 数据线,典型工作电压范围为 3.3V。这意味着工作电压大于或等于 3.3V。
- 钳位电压:可能有许多系统使用 USB。这导致 ESD 二极管的钳位电压取决于 USB 连接器的下游电路。建议钳位电压低于下游元件的绝对最大额定值。
- 电容(D+、D-):由于 D+ 和 D- 专用于 USB 2.0 数据传输,因此信号速度可高达 480Mbps。建议使用电容小于 4pF 的 ESD 二极管。
- 电容(TX+、TX-、RX+、RX-):由于信号速度最高可达 10Gbps,建议使用小于 0.3pF 的低电容 ESD 二极管来支持信号速度。对于 USB 3.2 Gen 1x2,有两个通道,每个通道的速率为 5Gbps,建议使用小于 0.5pF 的电容来支持每个通道。
- IEC 61000-4-2 等级:IEC 61000-4-2 测试标准定义了实际的 ESD 冲击。该标准包含两项测量:接触放电和空气间隙放电。接触和空气间隙等级越高,器件能够承受的电压就越高。对于 USB 10Gbps,建议触点的 IEC 61000-4-2 最低额定值为 8kV,空气间隙的最低额定值为 15kV。
- VBUS
- 工作电压:对于 VBUS,工作电压为 5V。建议使用工作电压大于或等于 5V 的 ESD 二极管。
表 8-8 列出了支持这些规格的器件。
表 5-1 USB 10Gbps 器件建议| 器件 | VRWM (V) | IEC 61000-4-2 (kV)(接触/空气间隙) | 电容 (pF) | 通道计数 | 封装尺寸 (mm) | 推荐用于 |
| ESD321 |
3.6 |
30/30 |
0.9 |
1 |
DFN1006 (1.00 x 0.60)、SOD523(1.60 x 0.80) |
D+、D- |
| TPD1E01B04 | 3.6 | 15/17 | 0.18 | 1 | DFN0603 (0.60 x 0.30)、DFN1006 (1.00 x 0.60) | D+、D-、TX+、TX-、RX+、RX- |
| ESD122 | 3.6 | 17/17 | 0.2 | 2 | DFN1006、3 引脚 (1.00 x 0.60) | D+、D-、TX+、TX-、RX+、RX- |
| TPD4E02B04 | 3.6 | 12/15 | 0.25 | 4 | USON (2.5 x 1.0) | D+、D-、TX+、TX-、RX+、RX- |
| ESD441 |
5.5 |
30/30 |
1 |
1 |
DFN0603 (0.60 x 0.30) |
VBUS |