产品详情

Number of channels 1 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 IO capacitance (typ) (pF) 0.2 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 15 Dynamic resistance (typ) 0.57 Interface type FPD-Link / SerDes, HDMI 2.0, LVDS, USB 3.0, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.4 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 1 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 IO capacitance (typ) (pF) 0.2 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 15 Dynamic resistance (typ) 0.57 Interface type FPD-Link / SerDes, HDMI 2.0, LVDS, USB 3.0, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.4 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² (1 mm × 0.6 mm)
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
    • ±15kV 接触放电
    • ±17kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 2.5A (8/20µs)
  • IO 电容:
    • 0.20pF(典型值)
    • 0.23pF(最大值)
  • 直流击穿电压:6.4V(典型值)
  • 超低泄漏电流:10nA(最大值)
  • 低 ESD 钳位电压:16A TLP 时为 15V
  • 低插入损耗:20 GHz
  • 支持速率高达 20Gbps 的高速接口
  • 业界通用 0402 封装
  • 符合 AEC-Q101 标准
    • 器件 HBM 分类等级 H2
    • 器件 CDM 分类等级 C5
    • 器件工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
    • ±15kV 接触放电
    • ±17kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 2.5A (8/20µs)
  • IO 电容:
    • 0.20pF(典型值)
    • 0.23pF(最大值)
  • 直流击穿电压:6.4V(典型值)
  • 超低泄漏电流:10nA(最大值)
  • 低 ESD 钳位电压:16A TLP 时为 15V
  • 低插入损耗:20 GHz
  • 支持速率高达 20Gbps 的高速接口
  • 业界通用 0402 封装
  • 符合 AEC-Q101 标准
    • 器件 HBM 分类等级 H2
    • 器件 CDM 分类等级 C5
    • 器件工作温度范围:–40°C 至 +125°C

TPD1E01B04-Q1 是一款双向 TVS ESD 保护二极管,用于为 USB Type-C 和 FPD-Link 电路提供保护。 TPD1E01B04-Q1 的额定 ESD 冲击消散值等于 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级)规定的最高水平。

该器件采用一个 0.20pF(典型值)的 IO 电容,适用于保护速率高达 20Gbps 的高速接口(例如 USB 3.1 Gen2 和 FPD-Link)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。

TPD1E01B04-Q1 采用业界通用的 0402 (DPY) 封装。

TPD1E01B04-Q1 是一款双向 TVS ESD 保护二极管,用于为 USB Type-C 和 FPD-Link 电路提供保护。 TPD1E01B04-Q1 的额定 ESD 冲击消散值等于 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级)规定的最高水平。

该器件采用一个 0.20pF(典型值)的 IO 电容,适用于保护速率高达 20Gbps 的高速接口(例如 USB 3.1 Gen2 和 FPD-Link)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。

TPD1E01B04-Q1 采用业界通用的 0402 (DPY) 封装。

下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
TPD4E02B04-Q1 正在供货 适用于高速接口的汽车级四通道 0.25pF ±3.6V ESD 保护二极管 Four-channel diode array variant

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — 适用于 ESD 二极管封装(包括 0402、0201 等)的通用评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPD1E01B04-Q1 IBIS Model

SLVME55.ZIP (3 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPD1E01B04-Q1 PSpice Transient Model

SLVME57.ZIP (151 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频