TPD4E110

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适用于高速接口的四通道 0.45pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

产品详情

Package name DFN-0603 (X2SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 35 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.45 Clamping voltage (V) 10 Breakdown voltage (min) (V) 6.5
Package name DFN-0603 (X2SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 35 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.45 Clamping voltage (V) 10 Breakdown voltage (min) (V) 6.5
X2SON (DPW) 4 0.64 mm² 0.8 x 0.8
  • 为低压输入输出 (IO) 接口提供系统级静电放电 (ESD) 保护
  • IO 电容值 0.45pF(典型值)
  • IEC 61000-4-2 4 级
    • ±12kV(接触放电)
    • ±15kV(空气间隙放电)
  • IEC 61000-4-5(浪涌):2.5A (8/20µs)
  • 直流击穿电压 6.5V(最小值)
  • 超低泄露电流 1nA(最大值)
  • 低 ESD 钳位电压
  • 工业温度范围:-40°C 至 125°C
  • 最大限度减少空间的 0.8mm x 0.8mm DPW 封装

应用范围

  • USB 3.0
  • HDMI 2.0
  • 低压差分信令 (LVDS)
  • DisplayPort
  • PCI Express 接口
  • eSata 接口

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 为低压输入输出 (IO) 接口提供系统级静电放电 (ESD) 保护
  • IO 电容值 0.45pF(典型值)
  • IEC 61000-4-2 4 级
    • ±12kV(接触放电)
    • ±15kV(空气间隙放电)
  • IEC 61000-4-5(浪涌):2.5A (8/20µs)
  • 直流击穿电压 6.5V(最小值)
  • 超低泄露电流 1nA(最大值)
  • 低 ESD 钳位电压
  • 工业温度范围:-40°C 至 125°C
  • 最大限度减少空间的 0.8mm x 0.8mm DPW 封装

应用范围

  • USB 3.0
  • HDMI 2.0
  • 低压差分信令 (LVDS)
  • DisplayPort
  • PCI Express 接口
  • eSata 接口

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TPD4E110 是一款具有超低电容值的单向静电放电 (ESD) 保护器件。 此器件由一个中央 ESD 钳位组成,并且在每个通道中特有两个隐藏的二极管,以减少电容负载。 每条通道额定 ESD 冲击消散值高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平。 TPD4E110 的超低负载电容值使得此器件非常适合于保护高速信号引脚。

TPD4E110 是一款具有超低电容值的单向静电放电 (ESD) 保护器件。 此器件由一个中央 ESD 钳位组成,并且在每个通道中特有两个隐藏的二极管,以减少电容负载。 每条通道额定 ESD 冲击消散值高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平。 TPD4E110 的超低负载电容值使得此器件非常适合于保护高速信号引脚。

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