ZHCAB92A October   2020  – July 2021 AM2431 , AM2432 , AM2434 , AM6411 , AM6412 , AM6421 , AM6441 , AM6442

 

  1.   商标
  2. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局指南
    3. 1.3 PCB 堆叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
      3. 1.4.3 返回电流旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  3. 2DDR4 电路板设计和布局指南
    1. 2.1  DDR4 简介
    2. 2.2  支持的 DDR4 器件实现
    3. 2.3  DDR4 接口原理图
      1. 2.3.1 采用 16 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
      2. 2.3.2 采用 8 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
    4. 2.4  兼容的 JEDEC DDR4 器件
    5. 2.5  放置
    6. 2.6  DDR4 禁止区域
    7. 2.7  VPP
    8. 2.8  网类别
    9. 2.9  DDR4 信号终端
    10. 2.10 VREF 布线
    11. 2.11 VTT
    12. 2.12 POD 互连
    13. 2.13 CK 和 ADDR_CTRL 拓扑与布线指南
    14. 2.14 数据组拓扑与布线指南
    15. 2.15 CK 和 ADDR_CTRL 布线规格
      1. 2.15.1 CACLM - 时钟地址控制最大曼哈顿距离
      2. 2.15.2 CK 和 ADDR_CTRL 布线限值
    16. 2.16 数据组布线规格
      1. 2.16.1 DQLM - DQ 最大曼哈顿距离
      2. 2.16.2 数据组布线限值
    17. 2.17 位交换
      1. 2.17.1 数据位交换
      2. 2.17.2 地址和控制位交换
  4. 3LPDDR4 电路板设计和布局指南
    1. 3.1  LPDDR4 简介
    2. 3.2  支持的 LPDDR4 器件实现
    3. 3.3  LPDDR4 接口原理图
    4. 3.4  兼容的 JEDEC LPDDR4 器件
    5. 3.5  放置
    6. 3.6  LPDDR4 禁止区域
    7. 3.7  网类别
    8. 3.8  LPDDR4 信号终端
    9. 3.9  LPDDR4 VREF 布线
    10. 3.10 LPDDR4 VTT
    11. 3.11 CK 和 ADDR_CTRL 拓扑
    12. 3.12 数据组拓扑
    13. 3.13 CK 和 ADDR_CTRL 布线规格
    14. 3.14 数据组布线规格
    15. 3.15 通道、字节和位交换
  5. 4修订历史记录

2.10 VREF 布线

JEDEC 定义了与 DDR4 存储器接口搭配使用的两个基准电压，即 VREFDQ 和 VREFCA。VREFDQ 是在读写期间用于数据组网的基准电压。VREFCA 是用于 SDRAM 命令和地址输入的基准电压。DDR4 SDRAM 会在内部生成自有 VREFDQ。类似地，处理器的 DDR4 PHY 也在内部生成自有 VREFDQ。VREFCA 基准电压必须在电路板上生成并传播至所有 SDRAM。VREFCA 设计为 DDR4 电源电压的 50%，并且通常由 DDR4 VTT 电源生成。它应该采用标称宽度为 20 mil 的迹线并在每个器件连接装置附近放置 0.1 μF 旁路电容器。可以缩小 VREF 迹线的宽度，从而适应端点附近较短长度的布线拥塞。