需要使用大容量旁路电容器以实现 DDR SDRAM 和其他电路的中速旁路。表 1-2 包含所需大容量旁路电容器的最小数量和最小电容。表 1-2 仅满足 SoC 的 DDR PHY 的旁路需求。其他电路可能需要额外的大容量旁路电容。有关 SDRAM 器件的任何其他去耦要求,请参阅制造商数据表
表 1-2 大容量旁路电容器
数量 |
参数 |
最小值 (2) |
最大值 |
单位 |
1 |
VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量 (1) |
1 |
|
器件 |
2 |
VDDS_DDR 大容量旁路总电容 |
22 |
|
µF |
(1) 这些电容器应放置在其要旁路的器件附近,但应优先放置高速 (HS) 旁路电容器和 DDR 信号线路。
(2) 本指南中的电容器建议仅反映该处理器的需求。有关如何适当放置存储器器件自身的去耦电容器,请参阅存储器件供应商的指南。