ZHCAB92A October   2020  – July 2021 AM2431 , AM2432 , AM2434 , AM6411 , AM6412 , AM6421 , AM6441 , AM6442

 

  1.   商标
  2. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局指南
    3. 1.3 PCB 堆叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
      3. 1.4.3 返回电流旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  3. 2DDR4 电路板设计和布局指南
    1. 2.1  DDR4 简介
    2. 2.2  支持的 DDR4 器件实现
    3. 2.3  DDR4 接口原理图
      1. 2.3.1 采用 16 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
      2. 2.3.2 采用 8 位 SDRAM 器件的 DDR4 实现
    4. 2.4  兼容的 JEDEC DDR4 器件
    5. 2.5  放置
    6. 2.6  DDR4 禁止区域
    7. 2.7  VPP
    8. 2.8  网类别
    9. 2.9  DDR4 信号终端
    10. 2.10 VREF 布线
    11. 2.11 VTT
    12. 2.12 POD 互连
    13. 2.13 CK 和 ADDR_CTRL 拓扑与布线指南
    14. 2.14 数据组拓扑与布线指南
    15. 2.15 CK 和 ADDR_CTRL 布线规格
      1. 2.15.1 CACLM - 时钟地址控制最大曼哈顿距离
      2. 2.15.2 CK 和 ADDR_CTRL 布线限值
    16. 2.16 数据组布线规格
      1. 2.16.1 DQLM - DQ 最大曼哈顿距离
      2. 2.16.2 数据组布线限值
    17. 2.17 位交换
      1. 2.17.1 数据位交换
      2. 2.17.2 地址和控制位交换
  4. 3LPDDR4 电路板设计和布局指南
    1. 3.1  LPDDR4 简介
    2. 3.2  支持的 LPDDR4 器件实现
    3. 3.3  LPDDR4 接口原理图
    4. 3.4  兼容的 JEDEC LPDDR4 器件
    5. 3.5  放置
    6. 3.6  LPDDR4 禁止区域
    7. 3.7  网类别
    8. 3.8  LPDDR4 信号终端
    9. 3.9  LPDDR4 VREF 布线
    10. 3.10 LPDDR4 VTT
    11. 3.11 CK 和 ADDR_CTRL 拓扑
    12. 3.12 数据组拓扑
    13. 3.13 CK 和 ADDR_CTRL 布线规格
    14. 3.14 数据组布线规格
    15. 3.15 通道、字节和位交换
  5. 4修订历史记录

1.4.1 大容量旁路电容器

需要使用大容量旁路电容器以实现 DDR SDRAM 和其他电路的中速旁路。表 1-2 包含所需大容量旁路电容器的最小数量和最小电容。表 1-2 仅满足 SoC 的 DDR PHY 的旁路需求。其他电路可能需要额外的大容量旁路电容。有关 SDRAM 器件的任何其他去耦要求，请参阅制造商数据表

表 1-2 大容量旁路电容器
数量 参数 最小值 (2) 最大值 单位
1 VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量 (1) 1 器件
2 VDDS_DDR 大容量旁路总电容 22 µF
(1) 这些电容器应放置在其要旁路的器件附近，但应优先放置高速 (HS) 旁路电容器和 DDR 信号线路。
(2) 本指南中的电容器建议仅反映该处理器的需求。有关如何适当放置存储器器件自身的去耦电容器，请参阅存储器件供应商的指南。