DDR4 电路板的设计与 DDR3 电路板相似。就像在 DDR3 中一样，DDR4 也需要采用飞越式布线，因此需要矫正。为了通过 DDR4 实现更高的数据速率，接口规范中加入了多项增强功能，SDRAM 和处理器接口 (PHY) 都必须满足相应的规范要求。下面列出了会影响电路板互连和布局的增强功能：

• 增加 ACT_n 引脚 – 该引脚提供了信号传递功能，支持将之前被称为命令引脚（RAS_n、CAS_n 和 WE_n）的引脚用作额外的地址引脚。这些引脚在 ACT_n 为低电平时用作行地址引脚，而在 ACT_n 为高电平时用作命令引脚。这仅在 CS_n 为低电平时有效。
• 移除一个 BA（存储库地址）引脚并增加 2 个 BG（存储库组）引脚 – 这增加了与 DDR3 相似的访问灵活性，但共有 16 个存储库，即在四个组中分别有四个存储库。这产生了额外的计时参数，因为存储库组内的相邻访问要快于对另一存储库组的相邻访问。最快的选项是连续访问单个存储库内的位置。
• 增加 PAR（奇偶校验）和 ALERT_n 引脚（使用是可选的）– PAR 引脚利用从控制器到 SDRAM 的偶校验来对命令和地址引脚提供奇偶校验监测。ALERT_n 是来自 SDRAM 的指示（开漏输出），用于指示何时检测到奇偶检验错误。
• 更改 POD 终端 – 实现了伪开漏 (POD) 输出缓冲器，而不是传统的 SSTL 推挽输出。这让数据位终端 ODT 可以连接到 I/O 电源轨 VDDQ，而非中位电压 VTT。功耗可能会有所降低，因为仅驱动一位时消耗的电流较低。
• 增加 DBI – 数据总线翻转 (DBI) 功能，每当超过一半的位为零时数据总线会翻转。与 POD 终端搭配使用时，该功能可以降低有功功率，从而提高数据信号完整性。
• 增加 VPP 电源输入 – VPP 电源 (2.5V) 为内部字线逻辑供电。电压的升高可以让 SDRAM 降低总体功耗。
• 将数据 VREF 与地址/控制 VREF 分开 – 在 SDRAM 中和在 PHY 中，数据基准电压 VREFDQ 现在都由内部生成。该电压可以编程为多种不同的电平，从而提供理想的采样阈值。根据所选的 ODT 阻抗、驱动强度和 PCB 布线阻抗，理想的阈值会有所不同。地址/控制基准电压 VREFCA 是中位基准电压，与 DDR3 中的相同。