ZHCSYD8 June 2025 DRV8363-Q1
ADVANCE INFORMATION
栅极驱动器采用适用于高侧和低侧驱动器的互补推挽拓扑。该拓扑允许对外部 MOSFET 栅极进行强上拉和强下拉。低侧栅极驱动器由 GVDD 电源直接供电。对于高侧栅极驱动器,自举二极管和电容器用于生成浮动高侧栅极电压电源。集成了自举二极管,并在 BSTx 引脚上使用了一个外部自举电容器。为支持 100% 占空比控制,器件中集成了一个涓流电荷泵。涓流电荷泵连接到 BSTx 节点,以防止由于驱动器和外部 MOSFET 的漏电流而导致压降。