ZHCSYD8 June   2025 DRV8363-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚功能 48 引脚 DRV8363-Q1 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 1pkg 热性能信息
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 SPI 时序要求
    6. 5.6 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 1x PWM 模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 VCP 涓流电荷泵
          3. 6.3.1.2.3 栅极驱动器输出
          4. 6.3.1.2.4 无源和半有源下拉电阻器
          5. 6.3.1.2.5 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          6. 6.3.1.2.6 传播延迟
          7. 6.3.1.2.7 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 6.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.3.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.3.2 双向电流检测操作
      4. 6.3.4 栅极驱动器关断
        1. 6.3.4.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.4.2 栅极驱动器关断时序
      5. 6.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.5.1  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 6.3.5.2  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        3. 6.3.5.3  VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        4. 6.3.5.4  VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        5. 6.3.5.5  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        6. 6.3.5.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.5.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 6.3.5.8  MOSFET VGS 监测保护
        9. 6.3.5.9  VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        10. 6.3.5.10 热关断 (OTSD)
        11. 6.3.5.11 热警告 (OTW)
        12. 6.3.5.12 OTP CRC
        13. 6.3.5.13 SPI 看门狗计时器
        14. 6.3.5.14 相位诊断
    4. 6.4 故障检测和响应汇总表（故障表）
    5. 6.5 器件功能模式
      1. 6.5.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.5.1.1 睡眠模式
        2. 6.5.1.2 运行模式
    6. 6.6 编程
      1. 6.6.1 SPI
      2. 6.6.2 SPI 格式
      3. 6.6.3 SPI 格式图
    7. 6.7 寄存器映射
      1. 6.7.1 状态寄存器
      2. 6.7.2 控制寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 7.2.1.1 外部组件
      2. 7.2.2 应用曲线
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 10.1 卷带包装信息

6.3.5.7 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)

该器件具有可调节的 VDS 电压监视器，可检测外部功率 MOSFET 上的过流或短路情况。可以通过监测外部 MOSFET RDS(on) 上的 VDS 压降来检测 MOSFET 过流事件。高侧 VDS 监测器在 VDRAIN 和 SHx 引脚之间进行测量，低侧 VDS 监测器在 SHx 和 SLx 引脚之间进行测量。如果外部 MOSFET 两端的电压超过 VDS_LVL 阈值的时间大于 tDS_DG 抗尖峰脉冲时间，则会识别到 VDS_OCP 事件。检测到 VDS 过流事件后，所有栅极驱动器输出都被驱动为低电平以禁用外部 MOSFET，并且 nFAULT 引脚被驱动为低电平。VDS 电平和抗尖峰脉冲时间是可编程的。

DRV8363-Q1 DRV8363-Q1VDS 监测器图 6-17 DRV8363-Q1VDS 监测器
DRV8363-Q1 DRV8363-Q1VDS 检测时序图 6-18 DRV8363-Q1VDS 检测时序