ZHCSYD8 June   2025 DRV8363-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚功能 48 引脚 DRV8363-Q1 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 1pkg 热性能信息
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 SPI 时序要求
    6. 5.6 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 1x PWM 模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 VCP 涓流电荷泵
          3. 6.3.1.2.3 栅极驱动器输出
          4. 6.3.1.2.4 无源和半有源下拉电阻器
          5. 6.3.1.2.5 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          6. 6.3.1.2.6 传播延迟
          7. 6.3.1.2.7 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 6.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.3.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.3.2 双向电流检测操作
      4. 6.3.4 栅极驱动器关断
        1. 6.3.4.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.4.2 栅极驱动器关断时序
      5. 6.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.5.1  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 6.3.5.2  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        3. 6.3.5.3  VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        4. 6.3.5.4  VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        5. 6.3.5.5  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        6. 6.3.5.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.5.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 6.3.5.8  MOSFET VGS 监测保护
        9. 6.3.5.9  VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        10. 6.3.5.10 热关断 (OTSD)
        11. 6.3.5.11 热警告 (OTW)
        12. 6.3.5.12 OTP CRC
        13. 6.3.5.13 SPI 看门狗计时器
        14. 6.3.5.14 相位诊断
    4. 6.4 故障检测和响应汇总表（故障表）
    5. 6.5 器件功能模式
      1. 6.5.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.5.1.1 睡眠模式
        2. 6.5.1.2 运行模式
    6. 6.6 编程
      1. 6.6.1 SPI
      2. 6.6.2 SPI 格式
      3. 6.6.3 SPI 格式图
    7. 6.7 寄存器映射
      1. 6.7.1 状态寄存器
      2. 6.7.2 控制寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 7.2.1.1 外部组件
      2. 7.2.2 应用曲线
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 10.1 卷带包装信息

1 特性

  • 适用于汽车应用的 AEC-Q100 测试指导
    • 器件环境温度：-40°C 至 +125°C
  • 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动六个 N 通道 MOSFET (NMOS)
    • 8V 至 85V 宽工作电压范围
    • 适用于高侧栅极驱动器的自举架构
    • 支持 50mA 平均栅极开关电流，能够以 20kHz 的频率驱动 400nC MOSFET
    • 涓流电荷泵可支持 100% PWM 占空比，并可生成过驱电源以驱动外部切断或反极性保护电路
  • 智能栅极驱动架构
    • 高达 1000/2000mA（拉电流/灌电流）的 15 级可配置峰值栅极驱动电流
    • 基于栅源电压监控的闭环自动死区时间插入
    • 可配置的软关断可在过流关断期间更大限度地降低电感电压尖峰
  • 低侧电流检测放大器
    • 在整个温度范围内具有 1mV 的低输入失调电压
    • 4 级可调增益
    • 可调输出偏置，用于支持单向或双向检测
  • 基于 SPI 的详细配置和诊断
  • DRVOFF 引脚可独立禁用驱动器
  • 高压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • 专用 ASCIN 引脚，用于控制电机制动（主动短路）
  • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 集成式保护功能
    • 电池和电源电压监测器
    • MOSFET VDS 和 Rsense 过电流监测器
    • MOSFET VGS 栅极故障监测器
    • 器件热警告和热关断
    • 故障状态指示引脚