ZHCSYD8 June   2025 DRV8363-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚功能 48 引脚 DRV8363-Q1 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 1pkg 热性能信息
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 SPI 时序要求
    6. 5.6 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 1x PWM 模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 VCP 涓流电荷泵
          3. 6.3.1.2.3 栅极驱动器输出
          4. 6.3.1.2.4 无源和半有源下拉电阻器
          5. 6.3.1.2.5 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          6. 6.3.1.2.6 传播延迟
          7. 6.3.1.2.7 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 6.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.3.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.3.2 双向电流检测操作
      4. 6.3.4 栅极驱动器关断
        1. 6.3.4.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.4.2 栅极驱动器关断时序
      5. 6.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.5.1  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 6.3.5.2  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        3. 6.3.5.3  VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        4. 6.3.5.4  VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        5. 6.3.5.5  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        6. 6.3.5.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.5.7  MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        8. 6.3.5.8  MOSFET VGS 监测保护
        9. 6.3.5.9  VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        10. 6.3.5.10 热关断 (OTSD)
        11. 6.3.5.11 热警告 (OTW)
        12. 6.3.5.12 OTP CRC
        13. 6.3.5.13 SPI 看门狗计时器
        14. 6.3.5.14 相位诊断
    4. 6.4 故障检测和响应汇总表（故障表）
    5. 6.5 器件功能模式
      1. 6.5.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.5.1.1 睡眠模式
        2. 6.5.1.2 运行模式
    6. 6.6 编程
      1. 6.6.1 SPI
      2. 6.6.2 SPI 格式
      3. 6.6.3 SPI 格式图
    7. 6.7 寄存器映射
      1. 6.7.1 状态寄存器
      2. 6.7.2 控制寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 7.2.1.1 外部组件
      2. 7.2.2 应用曲线
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 10.1 卷带包装信息

6.3.5.8 MOSFET VGS 监测保护

DRV8363-Q1 采用集成式栅源电压 (VGS) 监测器来监测外部 MOSFET 的状态。当命令 MOSFET 的输出状态为关断（INxx = 低电平）时，监测器会验证输出是否关断并保持关断。如果在任何时候，VGS 电压超过 VGS 阈值的持续时间超过 tvgs_dg，则 nFAULT 引脚会被驱动为低电平，并为相应的输出通道设置 VGS_XX 标志。当命令 MOSFET 的输出状态为导通（INxx = 高电平）时，监测器会验证输出是否导通。如果在任何时候，VGS 降至 VGS 阈值以下的持续时间超过 tvgs_dg，则 nFAULT 引脚会被驱动为低电平，并为相应的输出通道设置 VGS_XX 标志。VGS 监测消隐时间与 VDS 监测器共享，可以通过 VDS_VGS_BLK 寄存器字段调节。TI 建议根据外部 MOSFET 的预期开关时间设置该参数值。VGS 检测抗尖峰脉冲时间可以通过 VGS_DEG 寄存器字段进行调整。在 PWM 上升/下降信号之后经过消隐时间后，抗尖峰脉冲计时器才会启动。TI 建议根据系统噪声级别和可接受的容错时序设置该参数值。