ZHCADB2A November   2023  – May 2025 MSPM0C1104 , MSPM0G3507 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 产品系列概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 Renesas RL78 MCU 与 MSPM0 MCU 的产品系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MSPM0 支持的 IDE
      3. 2.1.3 SysConfig
      4. 2.1.4 调试工具
      5. 2.1.5 LaunchPad™
    2. 2.2 迁移过程
      1. 2.2.1 第 1 步：选择合适的 MSPM0 MCU
      2. 2.2.2 步骤 2.设置 IDE 和 CCS 简介
        1. 2.2.2.1 设置 IDE
        2. 2.2.2.2 CCS 简介
      3. 2.2.3 第 3 步：设置 MSPM0 SDK 和 MSPM0 SDK 简介
        1. 2.2.3.1 设置 MSPM0 SDK
        2. 2.2.3.2 SDK 简介
      4. 2.2.4 第 4 步：软件评估
      5. 2.2.5 步骤 5.PCB 板设计
      6. 2.2.6 步骤 6.大规模生产
    3. 2.3 示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存功能
      2. 3.2.2 闪存组织
        1. 3.2.2.1 闪存区域
        2. 3.2.2.2 MSPM0 的 NONMAIN 存储器
        3. 3.2.2.3 RL78 的闪存寄存器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
      1. 3.4.1 振荡器
        1. 3.4.1.1 MSPM0 振荡器
      2. 3.4.2 时钟信号比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
      4. 3.5.4 低功耗模式代码示例
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
        1. 3.6.1.1 RL78 的中断管理
        2. 3.6.1.2 MSPM0 的中断管理
      2. 3.6.2 MSPM0 的事件处理程序
      3. 3.6.3 RL78 的事件链接控制器 (ELC)
      4. 3.6.4 事件管理比较
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 调试比较
      2. 3.7.2 编程模式比较
        1. 3.7.2.1 MSPM0 的引导加载程序 (BSL) 编程
        2. 3.7.2.2 RL78 的串行编程（使用外部器件）
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 内部集成电路 (I2C)
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
    7. 4.7 实时时钟 (RTC)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 数模转换器 (DAC)
    4. 5.4 运算放大器 (OPA)
    5. 5.5 电压基准 (VREF)
  9. 6总结
  10. 7参考资料
  11. 8修订历史记录

3.2.2.1 闪存区域

表 3-3 显示了 RL78 器件和 MSPM0 器件的闪存区域。

表 3-3 闪存区域比较
RL78（代码闪存） MSPM0
程序区域 MAIN 应用程序代码和数据
引导簇 (1) 小程序区域 NONMAIN BCR 配置
片上调试安全 ID 设置
闪存串行编程安全 ID BSL 配置
选项字节
CALLT 表 FACTORY 器件 ID 等
向量表 DATA(2) 数据或 EEPROM 仿真
(1) 某些具有两个引导簇（簇 0 和簇 1）的 RL78 器件可以实现引导交换功能。
(2) 具有一个存储体的 MSPM0 器件在 BANK0（唯一存在的存储体）上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，并且 DATA 区域不可用。具有多个存储体的 MSPM0 器件也在 BANK0 上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，但包括可实现 MAIN 或 DATA 区域的其他存储体（BANK1 至 BANK4）。