ZHCADB2A November 2023 – May 2025 MSPM0C1104 , MSPM0G3507 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
NONMAIN 闪存包含由 BCR 和 BSL 用于引导器件的配置寄存器,例如 FLASHSWP0 和 FLASHSWP1(静态写保护策略)。该区域不用于任何其他目的。BCR 和 BSL 都具有配置策略,这些策略可以保留为默认值(在开发和评估期间是典型值),也可以通过更改编程到 NONMAIN 闪存区域中的值来针对特定用途进行修改(在生产编程期间是典型值)。