ZHCADB2A November   2023  – May 2025 MSPM0C1104 , MSPM0G3507 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 产品系列概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 Renesas RL78 MCU 与 MSPM0 MCU 的产品系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MSPM0 支持的 IDE
      3. 2.1.3 SysConfig
      4. 2.1.4 调试工具
      5. 2.1.5 LaunchPad™
    2. 2.2 迁移过程
      1. 2.2.1 第 1 步：选择合适的 MSPM0 MCU
      2. 2.2.2 步骤 2.设置 IDE 和 CCS 简介
        1. 2.2.2.1 设置 IDE
        2. 2.2.2.2 CCS 简介
      3. 2.2.3 第 3 步：设置 MSPM0 SDK 和 MSPM0 SDK 简介
        1. 2.2.3.1 设置 MSPM0 SDK
        2. 2.2.3.2 SDK 简介
      4. 2.2.4 第 4 步：软件评估
      5. 2.2.5 步骤 5.PCB 板设计
      6. 2.2.6 步骤 6.大规模生产
    3. 2.3 示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存功能
      2. 3.2.2 闪存组织
        1. 3.2.2.1 闪存区域
        2. 3.2.2.2 MSPM0 的 NONMAIN 存储器
        3. 3.2.2.3 RL78 的闪存寄存器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
      1. 3.4.1 振荡器
        1. 3.4.1.1 MSPM0 振荡器
      2. 3.4.2 时钟信号比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
      4. 3.5.4 低功耗模式代码示例
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
        1. 3.6.1.1 RL78 的中断管理
        2. 3.6.1.2 MSPM0 的中断管理
      2. 3.6.2 MSPM0 的事件处理程序
      3. 3.6.3 RL78 的事件链接控制器 (ELC)
      4. 3.6.4 事件管理比较
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 调试比较
      2. 3.7.2 编程模式比较
        1. 3.7.2.1 MSPM0 的引导加载程序 (BSL) 编程
        2. 3.7.2.2 RL78 的串行编程（使用外部器件）
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 内部集成电路 (I2C)
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
    7. 4.7 实时时钟 (RTC)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 数模转换器 (DAC)
    4. 5.4 运算放大器 (OPA)
    5. 5.5 电压基准 (VREF)
  9. 6总结
  10. 7参考资料
  11. 8修订历史记录

3.2.1 闪存功能

MSPM0 和 RL78 系列 MCU 具有非易失性闪存，用于存储可执行程序代码和应用程序数据。表 3-2 显示了闪存特性的比较。

表 3-2 闪存功能比较
特性 RL78 MSPM0
闪存 为闪存编程 RL78Gxx 范围 1KB 至 768KB
RL78Lxx 范围 8KB 至 256KB
RL78Ixx、RL78Hxx 范围 8KB 至 512KB
RL78Fxx 范围 8KB 至 512KB		 MSPM0Gxx 范围 32KB 至 128KB
MSPM0Lxx 范围 8KB 至 64KB
MSPM0Cxx 8KB 或 16KBMSPM0Hxx 32 KB 或 64 KB
数据闪存 RL78Gxx 范围 0KB 至 8KB
RL78Lxx 范围 2KB 至 8KB
RL78Ixx、RL78Hxx 范围 0KB 至 4KB
RL78Fxx 范围 4KB 至 16KB
单个闪存大小 为闪存编程 32 位 64 位
数据闪存 32 位或 8 位
存储器组织 块大小（512B 或 1KB）
存储体大小（可变）
大多数器件 - 2 个存储体
I1C 器件 (512KB) - 3 个存储体(1)		 扇区大小 (1KB)
存储体大小（可变）
不超过 256KB 的器件 - 1 个存储体
超过 256KB 的器件 - 2 个存储体
访问 8 位或 16 位 单个闪存字（64 位）或多个字
编程模式 为闪存编程 单个闪存字（32 位） 单个闪存字（64 位）或多个字
数据闪存 单个闪存字（32 位或 8 位）
擦除 块擦除 扇区擦除
存储体擦除（最大 256KB）

错误码纠正

 支持（RL78F23、F24） 支持
写保护 是 是，静态和动态
读保护 是 是
周期 1000k（典型值） 100K（下部 32KB）或 10k（上部 32KB）
(1) 大多数 RL78 器件有两个存储体（一个代码存储体和一个数据存储体），一些具有 512KB 代码闪存的 RL78I1C 器件有三个存储体（两个代码存储体和一个数据存储体）。

除了上表中列出的闪存功能外，MSPM0 闪存还具有以下功能：

  • 在整个电源电压范围内支持电路内编程和擦除操作。

  • 内部编程电压生成。