ZHCY154B september   2021  – april 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   内容概览
  2.   Authors
  3.   3
  4.   IQ 的影响因素
  5.   为何低 IQ 会带来新的挑战
    1.     瞬态响应
    2.     纹波
    3.     噪声
    4.     芯片尺寸和解决方案面积
    5.     泄漏和亚阈值操作
  6.   如何打破低 IQ障碍
    1.     解决瞬态响应问题
    2.     解决开关噪声问题
    3.     解决其他噪声问题
    4.     解决芯片尺寸和解决方案面积问题
    5.     解决泄漏和亚阈值操作问题
  7.   电气特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 设计中潜在的系统缺陷
    3.     实现低 IQ，但不失去灵活性
    4.     减少外部元件数量，从而降低汽车应用中的 IQ
    5.     支持系统级低 IQ 的智能开启或启用功能
  8.   结论
  9.   低 IQ 的主要产品类别
如今，超低功耗电子产品的设计人员经常在更高的性能和更长的电池寿命之间进行权衡。尽管电池容量有所提高，但根本的挑战仍然存在：如何在更长的时间内实现更高的性能？

内容概览

本文探讨了降低静态电流 (IQ) 的必要性以及相关挑战和解决方案。

1
IQ 是空载静态电流，是占空比低功耗系统所需克服的最重要瓶颈。低 IQ 可延长电池寿命。
2
降低 IQ 需要权衡瞬态噪声性能、芯片封装面积和输出功率范围。
3
在不牺牲性能或面积的情况下将 IQ 降低数十级，需要重新审视硅技术和电路技术。