ZHCY154B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概述
  3.   内容概览
  4.   IQ 的影响因素
  5.   为何低 IQ 会带来新的挑战
    1.     瞬态响应
    2.     纹波
    3.     噪声
    4.     芯片尺寸和解决方案面积
    5.     泄漏和亚阈值操作
  6.   如何打破低 IQ障碍
    1.     解决瞬态响应问题
    2.     解决开关噪声问题
    3.     解决其他噪声问题
    4.     解决芯片尺寸和解决方案面积问题
    5.     解决泄漏和亚阈值操作问题
  7.   电气特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 设计中潜在的系统缺陷
    3.     实现低 IQ，但不失去灵活性
    4.     减少外部元件数量，从而降低汽车应用中的 IQ
    5.     支持系统级低 IQ 的智能开启或启用功能
  8.   结语
  9.   低 IQ 的主要产品类别

解决泄漏和亚阈值操作问题

TI 电源工艺技术采用优化的低功耗设计元件。高密度电阻器和电容器与全新的电路技术相结合，能够同时减小 IQ 和裸片面积。功率 FET 和数字逻辑提供低泄漏晶体管，同时优化速度；因此，ISHDN 和面积完全不受影响。此外，在较低 VGS-VT 水平下对亚阈值操作进行精确建模（如图 18 所示），可实现低至皮安/微米的偏置水平的可靠操作。

GUID-20210902-SS0I-BL7Z-6PCK-84K8WT7S4NBS-low.gif图 18 Σ IDS 不匹配百分比与 VGS – VT 之间的关系。