产品详细信息

Number of channels (#) 1 Vin (Min) (V) 1 Vin (Max) (V) 5.5 Imax (A) 2 Ron (Typ) (mOhm) 60 Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) 0.01, 0.1 Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) 0.5 Soft start Adjustable Rise Time Rise time (Typ) (us) 65, 900 Current limit type None Features Active low, Quick output discharge, Reverse current protection Operating temperature range (C) -40 to 85
Number of channels (#) 1 Vin (Min) (V) 1 Vin (Max) (V) 5.5 Imax (A) 2 Ron (Typ) (mOhm) 60 Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) 0.01, 0.1 Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) 0.5 Soft start Adjustable Rise Time Rise time (Typ) (us) 65, 900 Current limit type None Features Active low, Quick output discharge, Reverse current protection Operating temperature range (C) -40 to 85
DSBGA (YFP) 4 0 mm² .78 x .78
  • 输入电压范围 (VIN):1 V 至 5.5V
  • 最大持续电流 (IMAX):2A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 60mΩ(典型值)、100mΩ(85°C 最大值)
    • 1.8V VIN = 100mΩ(典型值)、150mΩ(85°C 最大值)
    • 1V VIN = 200mΩ(典型值)、325mΩ(85°C 最大值)
  • 超低功耗:
    • 导通状态 (IQ):0.5µA(典型值)、1µA(最大值)
    • 关闭状态 (ISD):10nA(典型值)、100nA(最大值)
    • TPS22916BL/CL/CNL (ISD):100nA(典型值)、300nA(最大值)
  • ON 引脚智能下拉电阻 (RPD):
    • ON ≥ VIH (ION):10nA(最大值)
    • ON ≤ VIL (RPD):750kΩ(典型值)
  • C 版本的慢时序可限制浪涌电流:
    • 5V 开通时间 (tON):5mV/µs 时为 1400µs
    • 1.8V 开通时间 (tON):1mV/µs 时为 3000µs
    • 1V 开通时间 (tON):0.3mV/µs 时为 6500µs
  • B 版本的快速时序可减少等待时间:
    • 5V 开通时间 (tON):57mV/µs 时为 115µs
    • 1.8V 开通时间 (tON):12mV/µs 时为 250µs
    • 1V 开通时间 (tON):3.3mV/µs 时为 510µs
  • 常开的真反向电流阻断 (RCB):
    • 激活电流 (IRCB):–500mA(典型值)
    • 反向泄漏电流 (IIN,RCB):–300nA(最大值)
  • 快速输出放电 (QOD):150Ω(典型值) (N 版本无 QOD)
  • 低电平有效使能选项(L 版本)
  • 输入电压范围 (VIN):1 V 至 5.5V
  • 最大持续电流 (IMAX):2A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 60mΩ(典型值)、100mΩ(85°C 最大值)
    • 1.8V VIN = 100mΩ(典型值)、150mΩ(85°C 最大值)
    • 1V VIN = 200mΩ(典型值)、325mΩ(85°C 最大值)
  • 超低功耗:
    • 导通状态 (IQ):0.5µA(典型值)、1µA(最大值)
    • 关闭状态 (ISD):10nA(典型值)、100nA(最大值)
    • TPS22916BL/CL/CNL (ISD):100nA(典型值)、300nA(最大值)
  • ON 引脚智能下拉电阻 (RPD):
    • ON ≥ VIH (ION):10nA(最大值)
    • ON ≤ VIL (RPD):750kΩ(典型值)
  • C 版本的慢时序可限制浪涌电流:
    • 5V 开通时间 (tON):5mV/µs 时为 1400µs
    • 1.8V 开通时间 (tON):1mV/µs 时为 3000µs
    • 1V 开通时间 (tON):0.3mV/µs 时为 6500µs
  • B 版本的快速时序可减少等待时间:
    • 5V 开通时间 (tON):57mV/µs 时为 115µs
    • 1.8V 开通时间 (tON):12mV/µs 时为 250µs
    • 1V 开通时间 (tON):3.3mV/µs 时为 510µs
  • 常开的真反向电流阻断 (RCB):
    • 激活电流 (IRCB):–500mA(典型值)
    • 反向泄漏电流 (IIN,RCB):–300nA(最大值)
  • 快速输出放电 (QOD):150Ω(典型值) (N 版本无 QOD)
  • 低电平有效使能选项(L 版本)

TPS22916xx 是一款小型单通道负载开关,采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压,且增加超小的导通电阻和功率损耗。

多个时序选项可支持各种系统负载条件。对于高容性负载,C 版本的慢速导通时序可更大限度减小浪涌电流。而在低容性负载中,B 版本的快速时序可减少所需的等待时间。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。此器件同时提供高电平有效和低电平有效 (L) 版本。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后,便会断开智能下拉电阻,从而防止不必要的功率损耗。

TPS22916xx 采用节省空间的小型 0.78mm × 0.78mm、0.4mm 间距、0.5mm 高度的 4 引脚晶圆芯片级 (WCSP) 封装 (YFP)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 +85°C。

TPS22916xx 是一款小型单通道负载开关,采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压,且增加超小的导通电阻和功率损耗。

多个时序选项可支持各种系统负载条件。对于高容性负载,C 版本的慢速导通时序可更大限度减小浪涌电流。而在低容性负载中,B 版本的快速时序可减少所需的等待时间。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。此器件同时提供高电平有效和低电平有效 (L) 版本。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后,便会断开智能下拉电阻,从而防止不必要的功率损耗。

TPS22916xx 采用节省空间的小型 0.78mm × 0.78mm、0.4mm 间距、0.5mm 高度的 4 引脚晶圆芯片级 (WCSP) 封装 (YFP)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 +85°C。

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设计和开发

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评估板

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评估板

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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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