产品详细信息

Vin (Min) (V) 0.8 Vin (Max) (V) 42 Vout (Min) (V) 5 Vout (Max) (V) 57 Regulated outputs (#) 1 Switching frequency (Min) (kHz) 100 Switching frequency (Max) (kHz) 2200 Iq (Typ) (mA) 1.2 Features Adjustable Current Limit, Bypass Mode, Enable, Frequency Synchronization, Improved max. duty cycle, Light Load Efficiency, Power Good, Spread Spectrum, Synchronization, Synchronous Rectification, Tracking, UVLO Adjustable Duty cycle (Max) (%) 93 Rating Automotive
Vin (Min) (V) 0.8 Vin (Max) (V) 42 Vout (Min) (V) 5 Vout (Max) (V) 57 Regulated outputs (#) 1 Switching frequency (Min) (kHz) 100 Switching frequency (Max) (kHz) 2200 Iq (Typ) (mA) 1.2 Features Adjustable Current Limit, Bypass Mode, Enable, Frequency Synchronization, Improved max. duty cycle, Light Load Efficiency, Power Good, Spread Spectrum, Synchronization, Synchronous Rectification, Tracking, UVLO Adjustable Duty cycle (Max) (%) 93 Rating Automotive
VQFN (RGR) 20 12 mm² 3.5 x 3.5
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 提供功能安全
  • 适用于宽工作电压范围的汽车类电池供电应用
    • 3.8V 至 42V 输入电压工作范围
    • 5V 至 20V 或 15V 至 57V 的动态可编程 VOUT
    • BIAS 电压大于等于 3.8V 时最小升压输入为 0.8V
    • VSUPPLY > VLOAD 时进行旁路操作
  • 最小电池消耗
    • 关断电流 ≤ 3µA
    • 自动模式转换
    • 睡眠模式下的电池消耗 ≤ 11µA(旁路操作,电荷泵关闭)
    • 睡眠模式下的电池消耗 ≤ 38µA(旁路操作,电荷泵打开)
    • 睡眠模式下的偏置电流 IQ ≤ 13µA(跳跃模式)
    • 强大的 5V MOSFET 驱动器
  • 解决方案尺寸小、成本低
    • 最大开关频率:2.2MHz
    • 内部自举二极管
    • 在 VIN 范围内峰值电流限制保持恒定
    • 支持 DCR 电感器电流感应
    • 具有可湿性侧面的 QFN-20 封装
  • 避免 AM 频带干扰和串扰
    • 可选的时钟同步
    • 开关频率范围为 100kHz 至 2.2MHz
    • 可选开关模式(FPWM、二极管仿真和跳跃模式)
  • 降低 EMI
    • 可选可编程扩展频谱
    • 无引线封装
  • 可编程性和灵活性
    • 动态 VOUT 跟踪
    • 动态开关频率编程
    • 可编程线路 UVLO
    • 可调软启动
    • 自适应死区时间
    • PGOOD 指示器
  • 集成型保护特性
    • 逐周期峰值电流限制
    • 过压保护
    • HB-SW 短路保护
    • 热关断
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 提供功能安全
  • 适用于宽工作电压范围的汽车类电池供电应用
    • 3.8V 至 42V 输入电压工作范围
    • 5V 至 20V 或 15V 至 57V 的动态可编程 VOUT
    • BIAS 电压大于等于 3.8V 时最小升压输入为 0.8V
    • VSUPPLY > VLOAD 时进行旁路操作
  • 最小电池消耗
    • 关断电流 ≤ 3µA
    • 自动模式转换
    • 睡眠模式下的电池消耗 ≤ 11µA(旁路操作,电荷泵关闭)
    • 睡眠模式下的电池消耗 ≤ 38µA(旁路操作,电荷泵打开)
    • 睡眠模式下的偏置电流 IQ ≤ 13µA(跳跃模式)
    • 强大的 5V MOSFET 驱动器
  • 解决方案尺寸小、成本低
    • 最大开关频率:2.2MHz
    • 内部自举二极管
    • 在 VIN 范围内峰值电流限制保持恒定
    • 支持 DCR 电感器电流感应
    • 具有可湿性侧面的 QFN-20 封装
  • 避免 AM 频带干扰和串扰
    • 可选的时钟同步
    • 开关频率范围为 100kHz 至 2.2MHz
    • 可选开关模式(FPWM、二极管仿真和跳跃模式)
  • 降低 EMI
    • 可选可编程扩展频谱
    • 无引线封装
  • 可编程性和灵活性
    • 动态 VOUT 跟踪
    • 动态开关频率编程
    • 可编程线路 UVLO
    • 可调软启动
    • 自适应死区时间
    • PGOOD 指示器
  • 集成型保护特性
    • 逐周期峰值电流限制
    • 过压保护
    • HB-SW 短路保护
    • 热关断

LM5123-Q1 器件是一款采用峰值电流模式控制的宽输入范围同步升压控制器。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

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该 EVM 旨在简化配置,使用户能够在同一模块上评估许多不同的应用。功能包括:低 IQ 运行、内部反馈电阻器、旁路模式运行(VIN 大于 VOUT 时)、输出电压动态跟踪、电源正常状态 (PGOOD) 指示器、可编程频率抖动、可编程欠压锁定 (UVLO) 和过压保护。

用户指南: PDF | HTML
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VQFN (RGR) 20 了解详情

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