ZHCY154B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概述
  3.   内容概览
  4.   IQ 的影响因素
  5.   为何低 IQ 会带来新的挑战
    1.     瞬态响应
    2.     纹波
    3.     噪声
    4.     芯片尺寸和解决方案面积
    5.     泄漏和亚阈值操作
  6.   如何打破低 IQ障碍
    1.     解决瞬态响应问题
    2.     解决开关噪声问题
    3.     解决其他噪声问题
    4.     解决芯片尺寸和解决方案面积问题
    5.     解决泄漏和亚阈值操作问题
  7.   电气特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 设计中潜在的系统缺陷
    3.     实现低 IQ，但不失去灵活性
    4.     减少外部元件数量，从而降低汽车应用中的 IQ
    5.     支持系统级低 IQ 的智能开启或启用功能
  8.   结语
  9.   低 IQ 的主要产品类别

IQ-GND、ISHDN 和 VOUT 精度的变化都是工艺技术组件可制造性的良好指标。表 1（来自 TPS7A02 具有快速瞬态响应的毫微功耗 IQ、25nA、200mA 低压降稳压器数据表）显示了在 -40°C 至 85°C 温度范围内无负载情况下 IGND 在 25nA 至 60nA 的范围内变化。这种温度变化代表了电流镜失配和 IBIAS 生成控制。ISHDN在室温下的变化范围为3nA 至 10nA ，是功率 FET 和数字逻辑泄漏控制的良好指标。VOUT 精度随温度变化小于 1.5%，这是亚阈值失配控制的良好指标。