ZHCUB39A May   2023  – December 2023 DRV8328

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 关键系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 DRV8328C
      2. 2.3.2 MSPM0G1507
      3. 2.3.3 CSD18510Q5B
      4. 2.3.4 TMP61
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 功率级设计：三相逆变器
      1. 3.1.1 选择感测电阻
    2. 3.2 功率级设计：DRV8328 栅极驱动器
      1. 3.2.1 DRV8328 特性
      2. 3.2.2 AVDD 线性稳压器 (LDO)
    3. 3.3 功率级设计：MSPM0 微控制器
      1. 3.3.1 使用 MSPM0G1507 进行低侧电流检测
      2. 3.3.2 温度感测
    4. 3.4 功率级设计：外部接口选项和指示
      1. 3.4.1 霍尔传感器接口
      2. 3.4.2 输入电源电压监控
      3. 3.4.3 电机转速控制
      4. 3.4.4 旋转方向：数字输入
      5. 3.4.5 MCU 的编程接口
      6. 3.4.6 数据传输
      7. 3.4.7 LED 指示灯
      8. 3.4.8 睡眠模式进入控制
  10. 4硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
      1. 4.1.1 硬件板概述
    2. 4.2 软件要求
    3. 4.3 测试设置
    4. 4.4 测试结果
      1. 4.4.1 DRV8328 栅极驱动器的功能评估
        1. 4.4.1.1 DRV8328 线性稳压器性能
        2. 4.4.1.2 由栅极驱动器生成的栅极驱动电压
      2. 4.4.2 MOSFET 开关波形
      3. 4.4.3 电流开环测试
      4. 4.4.4 电流开环负载测试
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 材料清单
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6关于作者
  13. 7修订历史记录

3.1 功率级设计：三相逆变器

该三相逆变器由六个 CSD18510Q5B 功率 MOSFET 实现，如图 3-1 所示。MOSFET 的额定最大漏源电压为 40V，峰值电流为 400A。该设计可以在所有 FET 上使用 RC 缓冲器。由于二极管反向恢复，预计 FET 上的电压振铃将达到最大。借助双极控制，未必需要在所有 FET 上使用缓冲器，具体是否需要取决于电流方向、PWM 策略和二极管反向恢复。

选择的缓冲电容器大约是 FET 输出电容的几倍，本设计中为 832pF。在电路板测试期间调整缓冲电阻器值，以充分抑制开关期间的 VDS 开关过冲振铃。C30、C31 和 C32 是 VDC 输入端和各分支底部 FET 的源极端子之间的去耦电容器。该去耦电容器可减少电源线路中由检测电阻和电源轨所增加的寄生电感引起的振铃。该设计还在每个 FET 的栅源极之间具有可选的外部电容，以减少开关期间的栅极拾取或栅极振铃。