ZHCUB39A May   2023  – December 2023 DRV8328

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 关键系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 DRV8328C
      2. 2.3.2 MSPM0G1507
      3. 2.3.3 CSD18510Q5B
      4. 2.3.4 TMP61
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 功率级设计：三相逆变器
      1. 3.1.1 选择感测电阻
    2. 3.2 功率级设计：DRV8328 栅极驱动器
      1. 3.2.1 DRV8328 特性
      2. 3.2.2 AVDD 线性稳压器 (LDO)
    3. 3.3 功率级设计：MSPM0 微控制器
      1. 3.3.1 使用 MSPM0G1507 进行低侧电流检测
      2. 3.3.2 温度感测
    4. 3.4 功率级设计：外部接口选项和指示
      1. 3.4.1 霍尔传感器接口
      2. 3.4.2 输入电源电压监控
      3. 3.4.3 电机转速控制
      4. 3.4.4 旋转方向：数字输入
      5. 3.4.5 MCU 的编程接口
      6. 3.4.6 数据传输
      7. 3.4.7 LED 指示灯
      8. 3.4.8 睡眠模式进入控制
  10. 4硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
      1. 4.1.1 硬件板概述
    2. 4.2 软件要求
    3. 4.3 测试设置
    4. 4.4 测试结果
      1. 4.4.1 DRV8328 栅极驱动器的功能评估
        1. 4.4.1.1 DRV8328 线性稳压器性能
        2. 4.4.1.2 由栅极驱动器生成的栅极驱动电压
      2. 4.4.2 MOSFET 开关波形
      3. 4.4.3 电流开环测试
      4. 4.4.4 电流开环负载测试
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 材料清单
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6关于作者
  13. 7修订历史记录

2.3.3 CSD18510Q5B

选择 MOSFET 时的关键要求包括：

  • 高效率（MOSFET 在运行条件下具有低损耗）
  • 尺寸小，可缩小设计的外形尺寸
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 峰值电流能力

此参考设计使用六个 CSD18510Q5B MOSFET 来实现三相逆变器，从而满足所需要求。MOSFET 的额定电压高达 40V，在 SON 5mm×6mm NexFET™ 功率 MOSFET 中，RDS(on) 为 0.79mΩ，旨在尽可能地降低电源转换应用中的损耗。