ZHCSZ22A October   2025  – December 2025 LM5066H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 PMBus 接口时序特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
      2. 7.5.2 PMBus 命令的详细说明
        1. 7.5.2.1  操作（01h，读取/写入字节）
        2. 7.5.2.2  CLEAR_FAULTS（03h，发送字节）
        3. 7.5.2.3  WRITE_PROTECT（10h，读取/写入字节）
        4. 7.5.2.4  RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，发送字节）
        5. 7.5.2.5  STORE_USER_ALL（15h，发送字节）
        6. 7.5.2.6  RESTORE_USER_ALL（16h，发送字节）
        7. 7.5.2.7  CAPABILITY（19h，读取字节）
        8. 7.5.2.8  VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，读取/写入字）
        9. 7.5.2.9  OT_FAULT_LIMIT（4Fh，读取/写入字）
        10. 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，读取/写入字）
        11. 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，读取/写入字）
        12. 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，读取/写入字）
        13. 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，读取字节）
        14. 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，读取字）
        15. 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，读取字节）
        16. 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，读取字节）
        17. 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，读取字节）
        18. 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，读取字节）
        19. 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，读取字节）
        20. 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
        21. 7.5.2.21 READ_EIN（86h，块读取）
        22. 7.5.2.22 READ_VIN（88h，读取字）
        23. 7.5.2.23 READ_IIN（89h，读取字）
        24. 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，读取字）
        25. 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，读取字）
        26. 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，读取字）
        27. 7.5.2.27 READ_POUT（96h，读取字）
        28. 7.5.2.28 READ_PIN（97h，读取字）
        29. 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，读取字节）
        30. 7.5.2.30 MFR_ID（99h，块读取）
        31. 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，块读取）
        32. 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，块读取）
        33. 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，读取/写入字节）
        34. 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，读取字）
        35. 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，读取字）
        36. 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，读取字）
        37. 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
        38. 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，读取字）
        39. 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，读取字）
        40. 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，读取字）
        41. 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，块读取）
        42. 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，发送字节）
        43. 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，读取字）
        44. 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，读取字）
        45. 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
        46. 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F8h，读取/写入字）
        47. 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，读取/写入字）
        48. 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，发送字节）
        49. 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，读取/写入字节）
        50. 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，读取/写入字）
        51. 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，读取字）
        52. 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，块读取）
        53. 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，读取/写入字节）
        54. 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，读取字）
        55. 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，读取字）
        56. 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，读取字）
        57. 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，读取字）
        58. 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，发送字节）
        59. 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，读取字）
        60. 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，块读取）
        61. 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，发送字节）
        62. 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，读取/写入字节）
        63. 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，读取/写入字节）
        64. 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，读取/写入字节）
        65. 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，读取/写入字节）
        66. 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，读取/写入字节）
        67. 7.5.2.67 P2t 计时器（EAh，读取/写入字节）
        68. 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，发送字节）
        69. 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，块读取）
        70. 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，读取/写入字节）
        71. 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，读取/写入字节）
        72. 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，读取/写入字节）
        73. 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，读取/写入字节）
        74. 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，读取/写入字节）
        75. 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，读取/写入字节）
        76. 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，读取/写入字节）
        77. 7.5.2.77 IIN 偏移校准（F2h，读取/写入字节）
        78. 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，读取字）
        79. 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，块读取）
        80. 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，读取字节）
        81. 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，读取/写入字节）
      3. 7.5.3 读取和写入遥测数据和警告阈值
      4. 7.5.4 通过线性拟合的经验确定遥测系数
      5. 7.5.5 写入遥测数据
      6. 7.5.6 PMBus 地址线（ADR0、ADR1、ADR2）
      7. 7.5.7 SMBA 响应
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动

对于具有大负载电流和输出电容的设计，使用基于电源限制的启动可能不切实际。从根本上说，增加负载电流会降低检测电阻，从而增加最小功率限值。使用更大的输出电容器会导致更长的启动时间，并且需要更长的计时器。因此，需要更长的计时器和更大的功率限制设置，这会在热短路或启动至短路期间给 MOSFET 带来更大的应力。最终，将没有可满足此类要求的 FET。

为了避免这个问题，可以使用 dv/dt 限制电容器 (Cdv/dt) 来限制栅极和输出电压的压摆率。浪涌电流可通过降低 VOUT 的压摆率任意设置为较小的值。此外，还设置了功率限制以满足最小功率限制要求，并防止计时器在启动期间运行（使 PLIM / VINMAX > IINR）。由于计时器在启动期间不运行，因此可将其设置为任意小值，以降低 MOSFET 在启动至短路或热短路期间所承受的应力。