ZHCSZ22A October   2025  – December 2025 LM5066H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 PMBus 接口时序特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
      2. 7.5.2 PMBus 命令的详细说明
        1. 7.5.2.1  操作（01h，读取/写入字节）
        2. 7.5.2.2  CLEAR_FAULTS（03h，发送字节）
        3. 7.5.2.3  WRITE_PROTECT（10h，读取/写入字节）
        4. 7.5.2.4  RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，发送字节）
        5. 7.5.2.5  STORE_USER_ALL（15h，发送字节）
        6. 7.5.2.6  RESTORE_USER_ALL（16h，发送字节）
        7. 7.5.2.7  CAPABILITY（19h，读取字节）
        8. 7.5.2.8  VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，读取/写入字）
        9. 7.5.2.9  OT_FAULT_LIMIT（4Fh，读取/写入字）
        10. 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，读取/写入字）
        11. 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，读取/写入字）
        12. 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，读取/写入字）
        13. 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，读取字节）
        14. 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，读取字）
        15. 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，读取字节）
        16. 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，读取字节）
        17. 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，读取字节）
        18. 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，读取字节）
        19. 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，读取字节）
        20. 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
        21. 7.5.2.21 READ_EIN（86h，块读取）
        22. 7.5.2.22 READ_VIN（88h，读取字）
        23. 7.5.2.23 READ_IIN（89h，读取字）
        24. 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，读取字）
        25. 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，读取字）
        26. 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，读取字）
        27. 7.5.2.27 READ_POUT（96h，读取字）
        28. 7.5.2.28 READ_PIN（97h，读取字）
        29. 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，读取字节）
        30. 7.5.2.30 MFR_ID（99h，块读取）
        31. 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，块读取）
        32. 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，块读取）
        33. 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，读取/写入字节）
        34. 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，读取字）
        35. 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，读取字）
        36. 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，读取字）
        37. 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
        38. 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，读取字）
        39. 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，读取字）
        40. 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，读取字）
        41. 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，块读取）
        42. 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，发送字节）
        43. 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，读取字）
        44. 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，读取字）
        45. 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
        46. 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F8h，读取/写入字）
        47. 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，读取/写入字）
        48. 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，发送字节）
        49. 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，读取/写入字节）
        50. 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，读取/写入字）
        51. 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，读取字）
        52. 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，块读取）
        53. 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，读取/写入字节）
        54. 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，读取字）
        55. 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，读取字）
        56. 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，读取字）
        57. 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，读取字）
        58. 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，发送字节）
        59. 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，读取字）
        60. 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，块读取）
        61. 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，发送字节）
        62. 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，读取/写入字节）
        63. 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，读取/写入字节）
        64. 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，读取/写入字节）
        65. 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，读取/写入字节）
        66. 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，读取/写入字节）
        67. 7.5.2.67 P2t 计时器（EAh，读取/写入字节）
        68. 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，发送字节）
        69. 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，块读取）
        70. 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，读取/写入字节）
        71. 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，读取/写入字节）
        72. 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，读取/写入字节）
        73. 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，读取/写入字节）
        74. 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，读取/写入字节）
        75. 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，读取/写入字节）
        76. 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，读取/写入字节）
        77. 7.5.2.77 IIN 偏移校准（F2h，读取/写入字节）
        78. 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，读取字）
        79. 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，块读取）
        80. 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，读取字节）
        81. 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，读取/写入字节）
      3. 7.5.3 读取和写入遥测数据和警告阈值
      4. 7.5.4 通过线性拟合的经验确定遥测系数
      5. 7.5.5 写入遥测数据
      6. 7.5.6 PMBus 地址线（ADR0、ADR1、ADR2）
      7. 7.5.7 SMBA 响应
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.1 概述

LM5066Hx 为 12V、24V 和 48V 系统提供了全面的热插拔控制和电源监控功能。其内联保护电路可限制在卡插入带电背板时的浪涌电流，从而防止电压骤降，并控制连接负载的 dV/dt。这可以避免意外复位，从而最大限度地减少对其他系统元件的干扰。移除卡后，该器件还会启用受控关断功能。

除了可编程电流限值外，LM5066Hx 还监测并限制 MOSFET 中的最大功率耗散，以保持在器件安全工作区 (SOA) 内运行。扩展电流或功率限制条件可触发 MOSFET 器件关断，重试选项可配置（无、1、2、4、8、16 或无限尝试）。断路器功能可在检测到严重过流情况时快速关断 MOSFET。当系统输入电压超出所需的工作范围时，可编程欠压锁定 (UVLO) 和过压锁定 (OVLO) 电路会关断 LM5066Hx。

通过 PMBus® 接口可提供广泛的配置选项，也可以存储在内部 EEPROM 中，从而实现自主操作，而无需主机在上电时干预。全面的遥测功能包括监控输入电压、输出电压、输入电流、输入功率、温度和辅助输入。该器件具有输入电压、电流、功率和温度的峰值监测功能，并可对关键参数进行可编程的平均值计算。受监控参数的可编程警告阈值可通过 PMBus 接口触发 SMBA 引脚。高级遥测功能包括高速 ADC 样本缓冲（“数字示波器”）和黑盒故障记录，可简化调试并实现预测性维护。

集成的高精度、高带宽模拟负载电流监测器可在稳态和瞬态条件下实现精确的负载电流测量，有助于先进的动态平台电源管理技术（如 Intel PSYS）优化系统功耗和吞吐量，而不会影响安全性。

LM5066H2 采用双路栅极驱动器架构，优化了布板空间，并降低了需要多个热插拔 FET 的大功率应用中的元件成本。初级栅极驱动器 (GATE1) 控制单个强大的 SOA FET，该 FET 专为应对启动、电流限制和故障事件期间的功率限制等严苛条件而设计。次级栅极驱动器 (GATE2) 仅在主 FET 达到完全增强后才会激活，从而使系统设计人员能够仅根据低 RDS(ON) 特性选择次级 FET，而无需广泛的 SOA 功能。这种架构显著减少了元件数量和布板空间，同时保持稳健的系统保护。该器件的 100μA 拉电流能力可确保瞬态条件下的快速恢复，防止在相邻卡移除等事件期间系统复位。

LM5066H2 采用高级软启动电容器断开功能，可提供受控的启动时序，同时在正常运行期间自动断开软启动电容器。这一特性支持使用较小的热插拔 FET，而不会牺牲瞬态响应性能，从而进一步优化系统设计。该器件包含全面的诊断功能，可检测连接至 GATE1 和 GATE2 引脚的外部 MOSFET 损坏，从而增强系统可靠性并便于故障排除。