ZHCSZ22A
October 2025 – December 2025
LM5066H
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较表
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息
6.5
电气特性
6.6
时序要求
6.7
PMBus 接口时序特性
6.8
典型特性
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
电流限值
7.3.2
折返电流限制
7.3.3
软启动断开 (SFT_STRT)
7.3.4
断路器
7.3.5
功率限制
7.3.6
UVLO
7.3.7
OVLO
7.3.8
电源正常
7.3.9
VDD 子稳压器
7.3.10
远程温度检测
7.3.11
MOSFET 损坏检测
7.3.12
模拟电流监测器 (IMON)
7.4
器件功能模式
7.4.1
上电序列
7.4.2
栅极控制
7.4.3
故障计时器和重启
7.4.4
关断控制
7.4.5
启用/禁用和复位
7.5
编程
7.5.1
PMBus 命令支持
7.5.2
PMBus 命令的详细说明
7.5.2.1
操作(01h,读取/写入字节)
7.5.2.2
CLEAR_FAULTS(03h,发送字节)
7.5.2.3
WRITE_PROTECT(10h,读取/写入字节)
7.5.2.4
RESTORE_FACTORY_DEFAULTS(12h,发送字节)
7.5.2.5
STORE_USER_ALL(15h,发送字节)
7.5.2.6
RESTORE_USER_ALL(16h,发送字节)
7.5.2.7
CAPABILITY(19h,读取字节)
7.5.2.8
VOUT_UV_WARN_LIMIT(43h,读取/写入字)
7.5.2.9
OT_FAULT_LIMIT(4Fh,读取/写入字)
7.5.2.10
OT_WARN_LIMIT(51h,读取/写入字)
7.5.2.11
VIN_OV_WARN_LIMIT(57h,读取/写入字)
7.5.2.12
IIN_OC_WARN_LIMIT(5Dh,读取/写入字)
7.5.2.13
STATUS_BYTE(78h,读取字节)
7.5.2.14
STATUS_WORD(79h,读取字)
7.5.2.15
STATUS_VOUT(7Ah,读取字节)
7.5.2.16
STATUS_INPUT(7Ch,读取字节)
7.5.2.17
STATUS_TEMPERATURE(7Dh,读取字节)
7.5.2.18
STATUS_CML(7Eh,读取字节)
7.5.2.19
STATUS_OTHER(7Fh,读取字节)
7.5.2.20
STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
7.5.2.21
READ_EIN(86h,块读取)
7.5.2.22
READ_VIN(88h,读取字)
7.5.2.23
READ_IIN(89h,读取字)
7.5.2.24
READ_VOUT(8Bh,读取字)
7.5.2.25
READ_IOUT(8Ch,读取字)
7.5.2.26
READ_TEMPERATURE_1(8Dh,读取字)
7.5.2.27
READ_POUT(96h,读取字)
7.5.2.28
READ_PIN(97h,读取字)
7.5.2.29
PMBUS_REVISION(98h,读取字节)
7.5.2.30
MFR_ID(99h,块读取)
7.5.2.31
MFR_MODEL(9Ah,块读取)
7.5.2.32
MFR_REVISION(9Bh,块读取)
7.5.2.33
USER_DATA(BCh,读取/写入字节)
7.5.2.34
READ_VIN_MIN(A0h,读取字)
7.5.2.35
READ_VIN_PEAK(A1h,读取字)
7.5.2.36
READ_IIN_PEAK(A2h,读取字)
7.5.2.37
READ_PIN_PEAK (A3h)
7.5.2.38
READ_VOUT_MIN(A4h,读取字)
7.5.2.39
READ_TEMP_AVG(C7h,读取字)
7.5.2.40
READ_TEMP_PEAK(C8h,读取字)
7.5.2.41
READ_SAMPLE_BUF(C9h,块读取)
7.5.2.42
POWER_CYCLE(CAh,发送字节)
7.5.2.43
READ_VAUX(D0h,读取字)
7.5.2.44
MFR_READ_IIN(D1h,读取字)
7.5.2.45
MFR_READ_PIN (D2h)
7.5.2.46
MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT(D3h,F8h,读取/写入字)
7.5.2.47
MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT(D4h,读取/写入字)
7.5.2.48
CLEAR_PIN_PEAK(D6h,发送字节)
7.5.2.49
GATE_MASK(D7h,读取/写入字节)
7.5.2.50
ALERT_MASK(D8h,读取/写入字)
7.5.2.51
READ_VAUX_AVG(D9h,读取字)
7.5.2.52
BLOCK_READ(DAh,块读取)
7.5.2.53
SAMPLES_FOR_AVG(DBh,读取/写入字节)
7.5.2.54
READ_VIN_AVG(DCh,读取字)
7.5.2.55
READ_VOUT_AVG(DDh,读取字)
7.5.2.56
READ_IIN_AVG(DEh,读取字)
7.5.2.57
READ_PIN_AVG(DFh,读取字)
7.5.2.58
CLEAR_BB_RAM(E0h,发送字节)
7.5.2.59
READ_DIAGNOSTIC_WORD(E1h,读取字)
7.5.2.60
AVG_BLOCK_READ(E2h,块读取)
7.5.2.61
BB_ERASE(E3h,发送字节)
7.5.2.62
BB_CONFIG(E4h,读取/写入字节)
7.5.2.63
OC_BLANKING_TIMERS(E5h,读取/写入字节)
7.5.2.64
DELAY_CONFIG(E7h,读取/写入字节)
7.5.2.65
WD_PLB_ TIMER(E8h,读取/写入字节)
7.5.2.66
PK_MIN_AVG(E9h,读取/写入字节)
7.5.2.67
P2t 计时器(EAh,读取/写入字节)
7.5.2.68
FETCH_BB_EEPROM(EBh,发送字节)
7.5.2.69
READ_BB_RAM(ECh,块读取)
7.5.2.70
ADC_CONFIG_1(EDh,读取/写入字节)
7.5.2.71
ADC_CONFIG_2(EEh,读取/写入字节)
7.5.2.72
DEVICE_SETUP1(CCh,读取/写入字节)
7.5.2.73
DEVICE_SETUP2(EFh,读取/写入字节)
7.5.2.74
DEVICE_SETUP3(F0h,读取/写入字节)
7.5.2.75
DEVICE_SETUP4(CDh,读取/写入字节)
7.5.2.76
DEVICE_SETUP5(CEh,读取/写入字节)
7.5.2.77
IIN 偏移校准(F2h,读取/写入字节)
7.5.2.78
STATUS_MFR_SPECIFIC_2(F3h,读取字)
7.5.2.79
READ_BB_EEPROM(F4h,块读取)
7.5.2.80
BB_TIMER(F6h,读取字节)
7.5.2.81
PMBUS_ADDR(F7h,读取/写入字节)
7.5.3
读取和写入遥测数据和警告阈值
7.5.4
通过线性拟合的经验确定遥测系数
7.5.5
写入遥测数据
7.5.6
PMBus 地址线(ADR0、ADR1、ADR2)
7.5.7
SMBA 响应
8
应用和实施
8.1
应用信息
8.2
典型应用
8.2.1
54V、100A PMBus 热插拔设计
8.2.1.1
设计要求
8.2.1.2
详细设计导入程序
8.2.1.2.1
选择热插拔 FET
8.2.1.2.2
基于 dv/dt 的启动
8.2.1.2.2.1
选择 VOUT 压摆率
8.2.1.2.3
选择 RSNS 和 CL 设置
8.2.1.2.4
选择功率限制
8.2.1.2.5
设置故障计时器
8.2.1.2.6
检查 MOSFET SOA
8.2.1.2.7
设置 UVLO 和 OVLO 阈值
8.2.1.2.7.1
选项 A
8.2.1.2.7.2
选项 B
8.2.1.2.7.3
选项 C
8.2.1.2.7.4
选项 D
8.2.1.2.8
电源正常引脚
8.2.1.2.9
输入和输出保护
8.2.1.3
应用曲线
8.3
电源相关建议
8.4
布局
8.4.1
布局指南
8.4.2
布局示例
9
器件和文档支持
9.1
第三方产品免责声明
9.2
接收文档更新通知
9.3
支持资源
9.4
商标
9.5
静电放电警告
9.6
术语表
10
修订历史记录
11
机械、封装和可订购信息
1
特性
输入工作电压范围:5.5V 至 90V
100V 绝对最大额定值
输出端可耐受高达 -5V 的负电压
可调 ILIM 阈值为 10mV 至 50mV
可编程 FET SOA 保护
带数字计时器的可编程过流消隐
强栅极下拉 (1.5A),可实现快速关断
强大的短路保护
快速跳闸响应 (270ns)
不受电源线路瞬变影响
具备附加特性的 LM5066H2
适用于高功率应用的双栅极驱动器
用于并联控制器运行的 SYNC 引脚
软启动电容器断开功能
故障 FET 检测
可编程 UV、OV、t
FAULT
阈值
外部 FET 温度检测
故障 FET 检测
用于遥测、控制、配置和调试的 PMBus® 接口
用于配置的片上 EEPROM 非易失性存储器
高精度 V
IN
、V
OUT
、I
IN
、P
IN
、V
AUX
监控 V (<±1%);I (<±1%);P (<±1.75%)
使用单个命令进行下电上电
多起事件的黑盒故障记录,具有存储在内部 EEPROM 上的相对时间戳
具有 250kHz 采样率的 12 位 ADC
支持通过 Read_EIN 命令进行能量监控
外部 FET 温度检测