ZHCSZ22A October   2025  – December 2025 LM5066H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 PMBus 接口时序特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电流限值
      2. 7.3.2  折返电流限制
      3. 7.3.3  软启动断开 (SFT_STRT)
      4. 7.3.4  断路器
      5. 7.3.5  功率限制
      6. 7.3.6  UVLO
      7. 7.3.7  OVLO
      8. 7.3.8  电源正常
      9. 7.3.9  VDD 子稳压器
      10. 7.3.10 远程温度检测
      11. 7.3.11 MOSFET 损坏检测
      12. 7.3.12 模拟电流监测器 (IMON)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电序列
      2. 7.4.2 栅极控制
      3. 7.4.3 故障计时器和重启
      4. 7.4.4 关断控制
      5. 7.4.5 启用/禁用和复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 PMBus 命令支持
      2. 7.5.2 PMBus 命令的详细说明
        1. 7.5.2.1  操作（01h，读取/写入字节）
        2. 7.5.2.2  CLEAR_FAULTS（03h，发送字节）
        3. 7.5.2.3  WRITE_PROTECT（10h，读取/写入字节）
        4. 7.5.2.4  RESTORE_FACTORY_DEFAULTS（12h，发送字节）
        5. 7.5.2.5  STORE_USER_ALL（15h，发送字节）
        6. 7.5.2.6  RESTORE_USER_ALL（16h，发送字节）
        7. 7.5.2.7  CAPABILITY（19h，读取字节）
        8. 7.5.2.8  VOUT_UV_WARN_LIMIT（43h，读取/写入字）
        9. 7.5.2.9  OT_FAULT_LIMIT（4Fh，读取/写入字）
        10. 7.5.2.10 OT_WARN_LIMIT（51h，读取/写入字）
        11. 7.5.2.11 VIN_OV_WARN_LIMIT（57h，读取/写入字）
        12. 7.5.2.12 IIN_OC_WARN_LIMIT（5Dh，读取/写入字）
        13. 7.5.2.13 STATUS_BYTE（78h，读取字节）
        14. 7.5.2.14 STATUS_WORD（79h，读取字）
        15. 7.5.2.15 STATUS_VOUT（7Ah，读取字节）
        16. 7.5.2.16 STATUS_INPUT（7Ch，读取字节）
        17. 7.5.2.17 STATUS_TEMPERATURE（7Dh，读取字节）
        18. 7.5.2.18 STATUS_CML（7Eh，读取字节）
        19. 7.5.2.19 STATUS_OTHER（7Fh，读取字节）
        20. 7.5.2.20 STATUS_MFR_SPECIFIC (80h)
        21. 7.5.2.21 READ_EIN（86h，块读取）
        22. 7.5.2.22 READ_VIN（88h，读取字）
        23. 7.5.2.23 READ_IIN（89h，读取字）
        24. 7.5.2.24 READ_VOUT（8Bh，读取字）
        25. 7.5.2.25 READ_IOUT（8Ch，读取字）
        26. 7.5.2.26 READ_TEMPERATURE_1（8Dh，读取字）
        27. 7.5.2.27 READ_POUT（96h，读取字）
        28. 7.5.2.28 READ_PIN（97h，读取字）
        29. 7.5.2.29 PMBUS_REVISION（98h，读取字节）
        30. 7.5.2.30 MFR_ID（99h，块读取）
        31. 7.5.2.31 MFR_MODEL（9Ah，块读取）
        32. 7.5.2.32 MFR_REVISION（9Bh，块读取）
        33. 7.5.2.33 USER_DATA（BCh，读取/写入字节）
        34. 7.5.2.34 READ_VIN_MIN（A0h，读取字）
        35. 7.5.2.35 READ_VIN_PEAK（A1h，读取字）
        36. 7.5.2.36 READ_IIN_PEAK（A2h，读取字）
        37. 7.5.2.37 READ_PIN_PEAK (A3h)
        38. 7.5.2.38 READ_VOUT_MIN（A4h，读取字）
        39. 7.5.2.39 READ_TEMP_AVG（C7h，读取字）
        40. 7.5.2.40 READ_TEMP_PEAK（C8h，读取字）
        41. 7.5.2.41 READ_SAMPLE_BUF（C9h，块读取）
        42. 7.5.2.42 POWER_CYCLE（CAh，发送字节）
        43. 7.5.2.43 READ_VAUX（D0h，读取字）
        44. 7.5.2.44 MFR_READ_IIN（D1h，读取字）
        45. 7.5.2.45 MFR_READ_PIN (D2h)
        46. 7.5.2.46 MFR_IIN_OC_WARN_LIMIT（D3h，F8h，读取/写入字）
        47. 7.5.2.47 MFR_PIN_OP_WARN_LIMIT（D4h，读取/写入字）
        48. 7.5.2.48 CLEAR_PIN_PEAK（D6h，发送字节）
        49. 7.5.2.49 GATE_MASK（D7h，读取/写入字节）
        50. 7.5.2.50 ALERT_MASK（D8h，读取/写入字）
        51. 7.5.2.51 READ_VAUX_AVG（D9h，读取字）
        52. 7.5.2.52 BLOCK_READ（DAh，块读取）
        53. 7.5.2.53 SAMPLES_FOR_AVG（DBh，读取/写入字节）
        54. 7.5.2.54 READ_VIN_AVG（DCh，读取字）
        55. 7.5.2.55 READ_VOUT_AVG（DDh，读取字）
        56. 7.5.2.56 READ_IIN_AVG（DEh，读取字）
        57. 7.5.2.57 READ_PIN_AVG（DFh，读取字）
        58. 7.5.2.58 CLEAR_BB_RAM（E0h，发送字节）
        59. 7.5.2.59 READ_DIAGNOSTIC_WORD（E1h，读取字）
        60. 7.5.2.60 AVG_BLOCK_READ（E2h，块读取）
        61. 7.5.2.61 BB_ERASE（E3h，发送字节）
        62. 7.5.2.62 BB_CONFIG（E4h，读取/写入字节）
        63. 7.5.2.63 OC_BLANKING_TIMERS（E5h，读取/写入字节）
        64. 7.5.2.64 DELAY_CONFIG（E7h，读取/写入字节）
        65. 7.5.2.65 WD_PLB_ TIMER（E8h，读取/写入字节）
        66. 7.5.2.66 PK_MIN_AVG（E9h，读取/写入字节）
        67. 7.5.2.67 P2t 计时器（EAh，读取/写入字节）
        68. 7.5.2.68 FETCH_BB_EEPROM（EBh，发送字节）
        69. 7.5.2.69 READ_BB_RAM（ECh，块读取）
        70. 7.5.2.70 ADC_CONFIG_1（EDh，读取/写入字节）
        71. 7.5.2.71 ADC_CONFIG_2（EEh，读取/写入字节）
        72. 7.5.2.72 DEVICE_SETUP1（CCh，读取/写入字节）
        73. 7.5.2.73 DEVICE_SETUP2（EFh，读取/写入字节）
        74. 7.5.2.74 DEVICE_SETUP3（F0h，读取/写入字节）
        75. 7.5.2.75 DEVICE_SETUP4（CDh，读取/写入字节）
        76. 7.5.2.76 DEVICE_SETUP5（CEh，读取/写入字节）
        77. 7.5.2.77 IIN 偏移校准（F2h，读取/写入字节）
        78. 7.5.2.78 STATUS_MFR_SPECIFIC_2（F3h，读取字）
        79. 7.5.2.79 READ_BB_EEPROM（F4h，块读取）
        80. 7.5.2.80 BB_TIMER（F6h，读取字节）
        81. 7.5.2.81 PMBUS_ADDR（F7h，读取/写入字节）
      3. 7.5.3 读取和写入遥测数据和警告阈值
      4. 7.5.4 通过线性拟合的经验确定遥测系数
      5. 7.5.5 写入遥测数据
      6. 7.5.6 PMBus 地址线（ADR0、ADR1、ADR2）
      7. 7.5.7 SMBA 响应
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 54V、100A PMBus 热插拔设计
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计导入程序
          1. 8.2.1.2.1 选择热插拔 FET
          2. 8.2.1.2.2 基于 dv/dt 的启动
            1. 8.2.1.2.2.1 选择 VOUT 压摆率
          3. 8.2.1.2.3 选择 RSNS 和 CL 设置
          4. 8.2.1.2.4 选择功率限制
          5. 8.2.1.2.5 设置故障计时器
          6. 8.2.1.2.6 检查 MOSFET SOA
          7. 8.2.1.2.7 设置 UVLO 和 OVLO 阈值
            1. 8.2.1.2.7.1 选项 A
            2. 8.2.1.2.7.2 选项 B
            3. 8.2.1.2.7.3 选项 C
            4. 8.2.1.2.7.4 选项 D
          8. 8.2.1.2.8 电源正常引脚
          9. 8.2.1.2.9 输入和输出保护
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.1 电流限值

LM5066Hx 在 10mV 至 50mV 范围内的八个可编程阈值下提供限流保护。当检测电阻 RSNS 上的电压（在 VIN_K 和 SENSE 引脚之间）超过选择的阈值时，将会激活电流限制。可以直接使用 CL 引脚设置两个阈值：当 CL 连接至 VDD 时为 25mV，当 CL 连接至 GND 时为 50mV。可通过 PMBus 接口对 DEVICE_SETUP1 和 DEVICE_SETUP2 寄存器进行编程，从而获得所有八 (8) 个阈值。

在过流事件期间，该器件提供两种保护模式：过流消隐和电流限制。根据配置，这些模式可以独立运行或按顺序运行。

在过流消隐模式下，只要负载电流保持在断路器阈值 (VCB) 以下，器件就允许负载电流在设定的时间段内流动，而不加以限制。LM5066Hx 采用两个配备单独计时器的过流消隐阈值：

  • VCBL1，配备计时器 tCBL1，用于中等过流

  • VCBL2，配备计时器 tCBL2，用于更高的过流

这些阈值和计时器在 DEVICE_SETUP3 和 OC_BLANKING_TIMERS 寄存器中进行配置。通常，VCBL1 设置为高于 VCL，VCBL2 设置为高于 VCBL1。对于 VCL 和 VCBL2 之间的负载电流，tCBL1 计时器激活。对于 VCBL1 和 VCBL2 之间的负载电流，tCBL2 计时器激活。

如果电流在到期前降至相应阈值以下，计时器将会复位。如果任一计时器由于长时间过载而到期，器件将转换至电流限制模式。在 LM5066H2 中，当任一计时器到期时，GATE2 会立即关闭。可通过将 tCBL1 和 tCBL2 设置为 0μs 来禁用过流消隐模式。

在电流限制模式下，会对 GATE 电压进行调节，以便将由 GATE1 驱动的流经 MOSFET 的电流限制在设定的电流限制阈值。故障计时器在电流限制期间激活。如果负载电流在故障计时器到期之前降至限流阈值以下，则恢复正常运行。如果电流限制持续超过 CTMR 设置的故障超时周期，GATE1 将会关闭。可以通过设置 DEVICE_SETUP3 中的位 7 来禁用电流限制。禁用后，当任一消隐计时器到期时，GATE1 和 GATE2 都会在消隐阶段后关闭。当发生电流限制故障时，器件会在 STATUS_INPUT (7Ch)、STATUS_WORD (79h) 和 DIAGNOSTIC_WORD (E1h) 寄存器中设置故障标志，并将 SMBA 引脚置为有效。可使用 ALERT_MASK (D8h) 寄存器禁用 SMBA 信令。为了实现可靠运行，RSNS 电阻值不应超过 200mΩ，以避免电流限制控制环路不稳定。

LM5066H 电流限制、消隐和断路器阈值图 7-1 电流限制、消隐和断路器阈值
表 7-1 电流限制、折返电流限制、过流消隐、断路器和其他阈值设置
参数 可配置阈值数量 阈值

模拟/数字
过流限制阈值，VCL 8

10mV、12.5mV、15mV、17.5mV、20mV、22.5mV、25mV 和 50mV

 模拟
过流消隐 1 阈值，VCBL1 4 1.25xVCL、1.5xVCL、1.75xVC、2xVCL 模拟
过流消隐 2 阈值，VCBL2 4 1.5xVCL、1.75xVCL、2xVCL、2.25xVCL 模拟
断路器阈值，VCB 4 1.2xVCL、2xVCL、3xVCL、4xVCL 模拟
短路保护阈值，VSCP 1 1.5xVCB 模拟
启动期间的折返因子 3 0.05xVCL、0.1xVCL 模拟
过流消隐计时器 1 16 0ms - 95ms 数字
过流消隐计时器 2 16 0ms -9.5ms、95ms 数字
断路器消隐时间 1 100us 模拟

调节计时器

（恒流计时器/P2t 计时器）

 通过计时器引脚设置 可使用 CTIMER 进行配置

最大值：0ms – 95ms

 模拟
P2t 计时器 - 插入计时器 4 0.95ms – 950ms 数字
P2t 计时器 - 重试计时器 16 9.5ms – 95s 数字
启动/重试期间的看门狗计时器 16 9.5ms – 9.5s 数字