ZHCAEQ8 July 2024 FDC1004 , FDC1004-Q1
数据表中显示的单级差分 CSA 的典型器件增益就是 RFB 与 RINT 的匹配比,如方程式 2 所示。
当使用输入电阻器(REXTERNAL 或 REXT)时,由于增益误差因子 (GEF) 小于 1,总分流电压增益 (GainTOTAL) 会发生可预测衰减。这种新的衰减增益可以使用方程式 3 在理论上计算得出。这个总分流电压增益现在是电路的新典型增益。注意,器件的 GEF 公式通常在数据表中提供。
引入输入 GEF 时,有一种新的方法可以参考输入失调电压。通常情况下,数据表中规定的初始失调电压误差 (VOSI) 是以输入 (RTI) 为基准,但要让它以分流 (RTS) 为基准,则需要除以 GEF。这也适用于文档末尾所示的 VOS, EXT RTI 推导过程。
图 3-1 带输入电阻的 CSA 的 RTI(以输入为基准)和 RTS(以分流为基准)确定新的典型总增益后,设计人员可以在系统硬件或软件中移位(校准)分流电压增益。但是,由于内部电阻器旨在实现精确的比率(器件增益 = RFB/RINT),而不是精确的绝对值,因此增益误差变化 (EG, EXT) 可能会随着系统数量的增加而显著增大。
对于大多数 CSA,保守评估认为,这些电阻器的绝对工艺变化 (PV) 为 ±20%、温度系数 (PV_TC) 为 ±30ppm/°C。这些参数均基于工艺技术的规格。此外,单个器件的所有内部电阻器本身可以具有相同的 PV 和 PV_TC,因此可以简化误差分析。定义这些 PV 规格后,设计人员可以计算外部电阻加载误差 (eEXT) 的范围。