ZHCAD94B October 2023 – July 2025 MSPM0C1104 , MSPM0C1105 , MSPM0C1106 , MSPM0L1306
表 1-1 描述了 MSPM0C 硬件设计过程中需要检查的主信号。以下各节提供了更多详细信息。
| 引脚(1) | 说明 | 要求 |
|---|---|---|
| VDD | 电源正极引脚 | 在 VDD 和 VSS 之间放置 10μF 和 100nF 电容器,并使这些器件靠近 VDD 和 VSS。 |
| VSS | 电源负极引脚 | |
| NRST | 复位引脚 | 连接一个外部 47kΩ 上拉电阻和一个 10nF 下拉电容。 |
| VREF+(2) | 用于外部基准输入的电压基准电源 | 当使用 VREF+ 和 VREF- 为 ADC 等模拟外设提供外部电压基准时,必须在 VREF+ 与 VREF-/GND 之间放置一个去耦电容,该电容基于外部基准源。如果未使用外部电压基准,则可以保持开路。 |
| VREF-(2) | 用于外部基准输入的电压基准接地电源 | |
| SWCLK | 来自调试探针的串行线时钟 | 内部下拉到 VSS,不需要任何外部器件。 |
| SWDIO | 双向(共享)串行线数据 | 内部上拉到 VDD,不需要任何外部器件。 |
| PA0、PA1 | 开漏 I/O | 输出高电平所需的上拉电阻 |
| PA18(2) | 默认 BSL 调用引脚 | 保持下拉状态,以避免在复位后进入 BSL 模式。(BSL 调用引脚可以重新映射。) |
| PAx(不包括 PA0、PA1) | 通用 I/O | 将相应的引脚功能设置为 GPIO (PINCMx.PF = 0x1) 并使用内部上拉或下拉电阻器将未使用的引脚配置为输出低电平或输入。 |
TI 建议将 10μF 和 0.1nF 的低 ESR 陶瓷去耦电容组合连接至 VDD 和 VSS 引脚。可以使用值更大的电容,但可能会影响电源轨斜升时间。去耦电容必须尽可能靠近去耦的引脚(几毫米范围内)。
NRST 复位引脚需要连接一个外部 47kΩ 上拉电阻器和一个 10nF 下拉电容器。
对于支持外部晶振的 MSPM0C1105 和 MSPM0C1106,在使用外部晶振时,需要为晶体振荡器引脚使用外部旁路电容。
对于 5V 容限开漏 (ODIO),如果使用 ODIO,则需要一个上拉电阻来输出内部集成电路 (I2C) 和通用异步接收器/发送器 (UART) 功能所需的高电平。
图 1-1 MSPM0C 典型应用原理图