ZHCABN2 February   2022 UCC14240-Q1

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1 引言
    1. 1.1 引脚配置和功能
  4. 2 三相牵引逆变器
  5. 3 栅极驱动偏置要求
    1. 3.1 栅极驱动偏置架构
    2. 3.2 IGBT 与 SiC
    3. 3.3 确定所需偏置电源
    4. 3.4 输入电压要求
    5. 3.5 输出电压要求
  6. 4 单路正隔离式输出电压
  7. 5 双路正负输出电压
  8. 6 双路正输出电压
  9. 7 电容器选型
  10. 8 RLIM 限流电阻器
    1. 8.1 RLIM 功能描述
    2. 8.2 RLIM 双路输出配置
      1. 8.2.1 CVEE 高于标称值且 CVDD 低于标称值
      2. 8.2.2 CVEE 低于标称值且 CVDD 高于标称值
      3. 8.2.3 栅极驱动器静态电流：IQ_VEE > IQ_VDD
      4. 8.2.4 栅极驱动器静态电流：IQ_VEE < IQ_VDD
      5. 8.2.5 CVEE 高于标称值且 CVDD 低于标称值：IQ_VEE > IQ_VDD
      6. 8.2.6 CVEE 低于标称值且 CVDD 高于标称值：IQ_VEE < IQ_VDD
    3. 8.3 RLIM 单路输出配置
  11. 9 UCC14240-Q1 Excel 设计计算器工具
  12. 10散热注意事项
    1. 10.1 热阻
    2. 10.2 结至顶部热特性参数
    3. 10.3 热性能测量和 TJ 计算示例
  13. 11使能 (ENA) 和电源正常引脚 (/PG)
  14. 12PCB 布局布线注意事项
  15. 13参考设计示例
  16. 14总结
  17. 15参考文献

3.2 IGBT 与 SiC

单个 IGBT 和 SiC 分立式晶体管可采用工业标准封装，如 TO-247 和 TO-263 ，广泛用于汽车、工业和商业应用。但是，由于逆变器和大功率电机所需的独特的三相半桥布置，在铝基板上构建并封装在塑料中的两到六个分立式器件更为常见。这些专用的半桥模块封装专为高振动和热管理而设计，可由 SiC 或 IGBT 开关组成。

IGBT 可以在低饱和电压下承载大量的电流，导致低导通损耗，但受到关断损耗、开关频率和直流阻断能力的限制。SiC MOSFET 是 HV 宽带隙 (WBG) 器件，与硅基 IGBT 晶体管相比，因其优越的整体优势而得到业界的广泛认可。HV 开关损耗更低、热性能更好、裸片尺寸更小、总栅极电荷更低、开关速度更快、传导损耗更低，使 SiC 在 HV、大功率转换逆变器中处于领先地位。