3 栅极驱动偏置要求

牵引逆变器根据所需的安全、隔离、故障检测、可靠性和负载水平具有独特的栅极驱动偏置架构。栅极驱动器的负载由以半桥三相配置排列的 SiC MOSFET 或 IGBT 组成。由于需要考虑三个相位，这意味着必须正确隔离和偏置三个半桥布置。 SiC 和 IGBT 开关比 Si MOSFET 更受青睐，因为它们具有出色的 HV、动态开关特性、电流处理能力和高温额定值。

本节将从隔离式偏置电源的角度考虑以下因素的影响：栅极驱动偏置架构、IGBT 与 SiC 的要求、确定所需的偏置电源功率、输入电压要求和输出电压调节要求。