ZHCAAN8E september 2022 – may 2023 AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA829J , DRA829J-Q1 , DRA829V , DRA829V-Q1 , TDA4VM , TDA4VM-Q1
需要使用大容量旁路电容器以实现 DDR SDRAM 和其他电路的中速旁路。表 1-2 包含所需大容量旁路电容器的最小数量和最小电容。表 1-2 仅满足 SoC 的 DDR PHY 的旁路需求。其他电路可能需要额外的大容量旁路电容。有关 SDRAM 器件的任何其他去耦要求,请参阅制造商的数据表
数量 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
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1 | VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量(1) | 1 (2) | 器件 | |
2 | VDDS_DDR 大容量旁路总电容 | 10 (2) | µF | |
3 | VDDS_DDR_BIAS 旁路电容器数量(1) | 1 (2) | 器件 | |
4 | VDDS_DDR_BIAS 大容量旁路总电容 | 10 (2) | µF |