ZHCAAE6B November   2018  – June 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1

 

  1.   商标
  2. 1接地优化
    1. 1.1 常用术语/连接
    2. 1.2 使用接地平面
      1. 1.2.1 两层板技术
    3. 1.3 常见问题
      1. 1.3.1 电容耦合和电感耦合
      2. 1.3.2 共模噪声和差模噪声
    4. 1.4 EMC 注意事项
  3. 2热特性概述
    1. 2.1 PCB 传导和对流
    2. 2.2 连续顶层散热焊盘
    3. 2.3 覆铜厚度
    4. 2.4 散热过孔连接
    5. 2.5 散热过孔宽度
    6. 2.6 热设计总结
  4. 3过孔
    1. 3.1 过孔电流容量
    2. 3.2 过孔布局建议
      1. 3.2.1 多过孔布局
      2. 3.2.2 过孔的放置
  5. 4通用布线方法
  6. 5大容量电容器和旁路电容器的放置
    1. 5.1 大容量电容器的放置
    2. 5.2 电荷泵电容器
    3. 5.3 旁路电容器/去耦电容器的放置
      1. 5.3.1 靠近电源
      2. 5.3.2 靠近功率级
      3. 5.3.3 靠近开关电流源
      4. 5.3.4 靠近电流感测放大器
      5. 5.3.5 靠近稳压器
  7. 6MOSFET 的放置和功率级布线
    1. 6.1 功率 MOSFET 的常见封装
      1. 6.1.1 DPAK
      2. 6.1.2 D2PAK
      3. 6.1.3 TO-220
      4. 6.1.4 8 引脚 SON
    2. 6.2 MOSFET 布局配置
    3. 6.3 功率级布局设计
      1. 6.3.1 开关节点
      2. 6.3.2 大电流环路路径
      3. 6.3.3 VDRAIN 感测引脚
  8. 7电流感测放大器布线
    1. 7.1 单个高侧分流器
    2. 7.2 单个低侧分流器
    3. 7.3 两相和三相分流放大器
    4. 7.4 元件选型
    5. 7.5 放置
    6. 7.6 布线
    7. 7.7 有用工具（网络节点和差分对）
    8. 7.8 输入和输出滤波器
    9. 7.9 注意事项
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录

6.3.1 开关节点

如图 6-10 所示，开关节点是高侧 MOSFET 的源极引脚和低侧 MOSFET 的漏极引脚之间的连接。该节点是最终连接到负载（在此应用中是一个电机）的网络。因为该网络上的信号具有高频、大电流特性，开关节点是半桥配置中需要布线的关键信号。图 6-8 中所示电路具有许多由 PCB 和功率 MOSFET 引起的非理想寄生效应。图 6-9 展示了这些主要寄生效应中的一部分，它们是引发“开关节点振铃”现象的主要原因。

GUID-854231E0-15D4-40FC-8BCD-FFCCC4D2CD4C-low.gif图 6-9 半桥寄生效应

开关节点振铃是开关节点上由于 PCB 和功率 MOSFET 的寄生效应而产生的 LC 振荡。开关节点振铃会导致 EMI 并产生过冲和下冲电压，这些值会超出 MOSFET 漏源电压和栅极驱动器引脚的绝对最大额定值。此外，还会降低功率级的效率。

可通过外部措施和系统调整（降低压摆率、使用外部缓冲器等）来解决开关节点振铃问题，但基本合理的布局可以解决许多这样的主要问题。图 6-10 的布局示例中显示的设计可最大限度地降低高侧 MOSFET 的源极与低侧 MOSFET 的漏极之间的电感。较好的做法是尽可能缩短覆铜平面连接的长度并增加其宽度，并且采用具有极小寄生电感的 MOSFET 封装。

GUID-BA51702E-E90E-4290-9C80-7D51EFB960C5-low.gif图 6-10 开关节点布局示例