产品详细信息

Rating Automotive Control method External Control, Trapezoidal Control Architecture Gate Driver Control interface 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM Gate drive (A) 1 Vs (Min) (V) 5.5 Vs ABS (Max) (V) 65 Features Independent FET Control, Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (C) -40 to 125
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HTQFP (PHP) 48 49 mm² 7 x 7
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 3 个独立半桥栅极驱动器
    • 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制
    • 1.5mA 至 1A 峰值源电流
    • 3mA 至 2A 峰值灌电流
  • 支持 100% 占空比的栅极驱动器电荷泵
  • 3 个集成式电流检测放大器 (CSA)
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
    • 双向或单向支持
  • 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
  • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 电荷泵输出可驱动反向电源保护 MOSFET
  • 3.3V、30mA 线性稳压器
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 电池短路 (SHT_BAT)
    • 接地短路 (SHT_GND)
    • MOSFET 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 3 个独立半桥栅极驱动器
    • 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制
    • 1.5mA 至 1A 峰值源电流
    • 3mA 至 2A 峰值灌电流
  • 支持 100% 占空比的栅极驱动器电荷泵
  • 3 个集成式电流检测放大器 (CSA)
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
    • 双向或单向支持
  • 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
  • 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 电荷泵输出可驱动反向电源保护 MOSFET
  • 3.3V、30mA 线性稳压器
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 电池短路 (SHT_BAT)
    • 接地短路 (SHT_GND)
    • MOSFET 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV8343-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8343-Q1 可由单一电源供电,支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入电源电压范围。

6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性,可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8343-Q1 器件集成了三个低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三相位上进行双向电流检测。

提供了低功耗睡眠模式,实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。

DRV8343-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8343-Q1 可由单一电源供电,支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入电源电压范围。

6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性,可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8343-Q1 器件集成了三个低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三相位上进行双向电流检测。

提供了低功耗睡眠模式,实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。

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设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

评估板

DRV8343H-Q1EVM — DRV8343H-Q1 汽车类三相电机智能栅极驱动器评估模块

DRV8343H-Q1EVM 评估模块是一个高度可配置的 6V 至 60V、20A 评估平台,用于评估三相无刷直流 (BLDC) 电机的控制与驱动性能,专为基于 DRV8343H-Q1 汽车智能栅极驱动器的 12V 至 24V 汽车系统而设计。该 EVM 具有板载反向电池保护、稳压 3.3V 电源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
现货
数量限制: 5
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现货
数量限制: 1
仿真模型

DRV834XQ1 PSPICE Model

SLVMD44.ZIP (246 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-060030 — Automotive 12-V to 24-V engine load interface reference design

此参考设计是具有独立 FET 功能的三相半H桥电机驱动解决方案,可与汽油和柴油发动机平台(如汽车电磁阀、双向有刷或无刷直流电机、单向有刷直流电机和继电器)上的电磁阀负载交互。

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订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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