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Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 47 Sleep current (µA) 14 Control mode Independent 1/2-Bridge, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 47 Sleep current (µA) 14 Control mode Independent 1/2-Bridge, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • 符合面向汽车应用的 应用
    • 器件温度等级 1:环境工作温度范围为 –40°C 至 +125°C
  • 单通道 半桥栅极驱动器
    • 驱动两个外部 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比
  • 工作电源电压范围:5.5V 至 45V
  • PWM 控制接口
  • 用于配置的串行接口 (DRV8703D-Q1)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 电流分流放大器
  • 集成 PWM 电流调节功能
  • 低功耗睡眠模式
  • 保护 特性
    • 电源欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定
    • 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热关断 (TSD)
    • 监视器计时器 (DRV8703D-Q1)
    • 故障调节输出 (nFAULT)
  • 符合面向汽车应用的 应用
    • 器件温度等级 1:环境工作温度范围为 –40°C 至 +125°C
  • 单通道 半桥栅极驱动器
    • 驱动两个外部 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比
  • 工作电源电压范围:5.5V 至 45V
  • PWM 控制接口
  • 用于配置的串行接口 (DRV8703D-Q1)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 电流分流放大器
  • 集成 PWM 电流调节功能
  • 低功耗睡眠模式
  • 保护 特性
    • 电源欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定
    • 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热关断 (TSD)
    • 监视器计时器 (DRV8703D-Q1)
    • 故障调节输出 (nFAULT)

DRV870xD-Q1 器件是一款小型半桥栅极驱动器,它使用两个外部 N 通道 MOSFET,旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。

通过 PWM 接口,可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持,而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享,能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路,能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。

DRV870xD-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术,因此无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时可为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题,在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,而且可防止任何栅极短路问题。此外,该架构中还包括主动和被动下拉特性,可防止任何 dv/dt 栅极导通。

DRV870xD-Q1 器件是一款小型半桥栅极驱动器,它使用两个外部 N 通道 MOSFET,旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。

通过 PWM 接口,可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持,而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享,能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路,能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。

DRV870xD-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术,因此无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时可为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题,在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,而且可防止任何栅极短路问题。此外,该架构中还包括主动和被动下拉特性,可防止任何 dv/dt 栅极导通。

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设计和开发

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评估板

DRV8703D-Q1EVM — DRV8703D-Q1 具有 SPI 的汽车级半桥有刷直流电机栅极驱动器评估模块

DRV8703D-Q1EVM(评估模块)作为一款评估套件,可用于演示 TI 的 DRV8703D-Q1 半桥栅极驱动器。MSP430G2553 用于控制占空比和电机方向,同时还监测 DRV8703D-Q1 报告的电机电流。使用 DRV8703D-Q1 汽车 H 桥栅极驱动器和 CSD18540Q5B N 通道 NexFET 功率 MOSFET 打造功率级。此 EVM 是一个高性能、受保护且具有成本效益的平台,可减少开发开销,加快上市速度。提供了用户友好型应用,可使用最少的外部设备快速实现 EVM 运行。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
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