产品详细信息

Rating Automotive Control method External Control Architecture Gate Driver Control interface 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM Gate drive (A) 1 Vs (Min) (V) 4.5 Vs ABS (Max) (V) 45 Features Current Sense Amplifier, SPI/I2C, Phase Comparators, Watchdog Timer Operating temperature range (C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Rating Automotive Control method External Control Architecture Gate Driver Control interface 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM Gate drive (A) 1 Vs (Min) (V) 4.5 Vs ABS (Max) (V) 45 Features Current Sense Amplifier, SPI/I2C, Phase Comparators, Watchdog Timer Operating temperature range (C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Compliant
HTQFP (PHP) 48 49 mm² 7 x 7
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准, 标准:
    • 器件温度等级 1:
      –40°C 至 +125°C,TA
  • SafeTI™半导体组件
    • 根据 ISO 26262 标准的相应要求开发
  • 4.5V 至 45V 工作电压范围
  • 可编程峰值栅极驱动电流高达 1A
  • 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
  • 分流放大器和相位比较器
    • A 器件:3 个分流放大器和三相比较器,具有状态,通过 SPI
    • B 器件:2 个分流放大器和三相比较器,具有实时监控器,通过数字引脚
  • 高达 20kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
  • 能够进行单 PWM 模式换向
  • 支持 3.3V 和 5V 数字接口
  • 串行外设接口 (SPI)
  • 耐热增强型 48 引脚薄型四方扁平封装 (HTQFP)
  • 保护 特性:
    • 内部稳压器、电池电压监控器
    • SPI CRC
    • 时钟监控器
    • 模拟内置自检
    • 可编程死区时间控制
    • 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 击穿保护
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • 栅极-源极电压实时监控器
    • 过热警告和关断
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准, 标准:
    • 器件温度等级 1:
      –40°C 至 +125°C,TA
  • SafeTI™半导体组件
    • 根据 ISO 26262 标准的相应要求开发
  • 4.5V 至 45V 工作电压范围
  • 可编程峰值栅极驱动电流高达 1A
  • 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
  • 分流放大器和相位比较器
    • A 器件:3 个分流放大器和三相比较器,具有状态,通过 SPI
    • B 器件:2 个分流放大器和三相比较器,具有实时监控器,通过数字引脚
  • 高达 20kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
  • 能够进行单 PWM 模式换向
  • 支持 3.3V 和 5V 数字接口
  • 串行外设接口 (SPI)
  • 耐热增强型 48 引脚薄型四方扁平封装 (HTQFP)
  • 保护 特性:
    • 内部稳压器、电池电压监控器
    • SPI CRC
    • 时钟监控器
    • 模拟内置自检
    • 可编程死区时间控制
    • 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 击穿保护
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • 栅极-源极电压实时监控器
    • 过热警告和关断

DRV3245Q-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动 应用 的 FET 栅极驱动器 IC,根据 ISO 26262 标准中有关功能安全应用的相应要求设计 而成。该器件具有三个半桥驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET,同时还具有先进的 FET 保护和监控功能。电荷泵驱动器可在冷启动运行期间实现 100% 占空比并支持低电池电压。凭借所集成的分流放大器、相位比较器和基于 SPI 的配置以及外设,该系列驱动器省去了大多数外部和无源组件,从而减少了所需物料并减小了印刷电路板 (PCB) 空间。

DRV3245Q-Q1 器件还为内部时钟集成了诊断和保护功能,并可提供常用系统诊断检查支持,二者皆可进行实例化并通过 SPI 进行报告。这种集成 特性 的灵活性使得该器件能够无缝集成到各种安全架构中。

DRV3245Q-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动 应用 的 FET 栅极驱动器 IC,根据 ISO 26262 标准中有关功能安全应用的相应要求设计 而成。该器件具有三个半桥驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET,同时还具有先进的 FET 保护和监控功能。电荷泵驱动器可在冷启动运行期间实现 100% 占空比并支持低电池电压。凭借所集成的分流放大器、相位比较器和基于 SPI 的配置以及外设,该系列驱动器省去了大多数外部和无源组件,从而减少了所需物料并减小了印刷电路板 (PCB) 空间。

DRV3245Q-Q1 器件还为内部时钟集成了诊断和保护功能,并可提供常用系统诊断检查支持,二者皆可进行实例化并通过 SPI 进行报告。这种集成 特性 的灵活性使得该器件能够无缝集成到各种安全架构中。

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open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
DRV3245E-Q1 正在供货 具有精确电流感应和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元 Grade 0 -40 to 150 degrees C

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

BOOSTXL-DRV3245AQ1 — DRV3245Q-Q1 汽车三相电机栅极驱动器评估模块

德州仪器 (TI) BOOSTXL-DRV3245AQ1 评估模块 (EVM) 可帮助设计人员评估 DRV3245AQPHPRQ1 电机栅极驱动器的运行和性能。此 EVM 使用紧凑型模块化封装,简便易用,旨在与兼容的 TI LaunchPad 对接,实现一个完整的电机控制系统。该器件与 MCU 一起提供了灵活的可配置性,并可通过一个易于使用的图形用户界面运行电机。注意:不包括 TMS570LS1224 Launchpad 或推荐电机。
仿真模型

DRV3245Q-Q1 IBIS MODEL

SLVMD47.ZIP (16 KB) - IBIS Model
封装 引脚数 下载
HTQFP (PHP) 48 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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