产品详细信息

Rating Catalog Control method Trapezoidal Control Architecture Gate Driver Control interface 1xPWM Gate drive (A) 0.15 Vs (Min) (V) 6 Vs ABS (Max) (V) 40 Features Hardware Management I/F, Hall Element Comparators, Integrated Motor Control, Smart Gate Drive, Tach/FG Feedback Operating temperature range (C) -40 to 125
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VQFN (RSM) 32 16 mm² 4 x 4
  • 6V 至 38V、三个半桥栅极驱动器,集成了 3 个霍尔比较器
    • 40V 绝对最大额定值
    • 针对 12V 和 24V 直流电源轨进行了全面优化
    • 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% PWM 占空比
  • 智能栅极驱动架构
    • 通过可调压摆率控制实现更出色的 EMI 和 EMC 性能
    • 通过 VGS 握手和最小死区时间插入方法避免击穿
    • 15mA 至 150mA 峰值拉电流
    • 30mA 至 300mA 峰值灌电流
  • 通过霍尔传感器集成了换向
    • 120° 梯形电流控制
    • 支持低成本霍尔元件
    • 通过转速输出信号 (FGOUT) 实现闭环速度控制
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧电荷泵
    • 低侧线性稳压器
  • 逐周期电流限制
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 低功耗睡眠模式
  • 3.3V、30mA 线性稳压器
  • 紧凑型 VQFN 封装和外形尺寸
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压闭锁 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • MOSFET 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 6V 至 38V、三个半桥栅极驱动器,集成了 3 个霍尔比较器
    • 40V 绝对最大额定值
    • 针对 12V 和 24V 直流电源轨进行了全面优化
    • 驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% PWM 占空比
  • 智能栅极驱动架构
    • 通过可调压摆率控制实现更出色的 EMI 和 EMC 性能
    • 通过 VGS 握手和最小死区时间插入方法避免击穿
    • 15mA 至 150mA 峰值拉电流
    • 30mA 至 300mA 峰值灌电流
  • 通过霍尔传感器集成了换向
    • 120° 梯形电流控制
    • 支持低成本霍尔元件
    • 通过转速输出信号 (FGOUT) 实现闭环速度控制
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧电荷泵
    • 低侧线性稳压器
  • 逐周期电流限制
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 低功耗睡眠模式
  • 3.3V、30mA 线性稳压器
  • 紧凑型 VQFN 封装和外形尺寸
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压闭锁 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • MOSFET 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV8306 器件是一款集成式栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8306 器件使用集成电荷泵为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。智能栅极驱动架构支持高达 150mA 的峰值栅极驱动拉电流和 300mA 的峰值栅极驱动灌电流以及 15mA rms 栅极驱动电流能力。

此器件为梯形 BLDC 电机提供内部 120° 换向。DRV8306 器件具有三个霍尔比较器,它们使用来自霍尔元件的输入进行内部换向。可通过 PWM 引脚对电机相电压的占空比进行调整。通过额外提供的制动 (nBRAKE) 和方向 (DIR) 引脚可制动 BLDC 电机和设置电机方向。使用提供的 3.3V、30mA 低压降 (LDO) 稳压器可为外部控制器和霍尔元件供电。此外提供额外的 FGOUT 信号来衡量换向频率。该信号可用于实现 BLDC 电机的闭环控制。

提供了低功耗睡眠模式,以通过关断大部分的内部电路实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、栅极驱动器故障和过热等情况,提供内部保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。

DRV8306 器件是一款集成式栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8306 器件使用集成电荷泵为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。智能栅极驱动架构支持高达 150mA 的峰值栅极驱动拉电流和 300mA 的峰值栅极驱动灌电流以及 15mA rms 栅极驱动电流能力。

此器件为梯形 BLDC 电机提供内部 120° 换向。DRV8306 器件具有三个霍尔比较器,它们使用来自霍尔元件的输入进行内部换向。可通过 PWM 引脚对电机相电压的占空比进行调整。通过额外提供的制动 (nBRAKE) 和方向 (DIR) 引脚可制动 BLDC 电机和设置电机方向。使用提供的 3.3V、30mA 低压降 (LDO) 稳压器可为外部控制器和霍尔元件供电。此外提供额外的 FGOUT 信号来衡量换向频率。该信号可用于实现 BLDC 电机的闭环控制。

提供了低功耗睡眠模式,以通过关断大部分的内部电路实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、栅极驱动器故障和过热等情况,提供内部保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
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设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

评估板

DRV8306EVM — DRV8306 三相电机智能栅极驱动器评估模块

DRV8306 评估模块 (EVM) 是一个可用于轻松评估 DRV8306 器件的应用板。DRV8306 器件是一款适用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。DRV8306 器件会提供三个高精度的休整和温度补偿半桥驱动器,每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 型 MOSFET。
现货
数量限制: 1
光绘文件

DRV8306EVM Design Files

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VQFN (RSM) 32 了解详情

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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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