ZHCSYV7B July   2010  – September 2025 UCC28070-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  交错式
      2. 6.3.2  对 PWM 频率和最大占空比钳位进行编程
      3. 6.3.3  频率抖动（幅度与速率）
      4. 6.3.4  外部时钟同步
      5. 6.3.5  多相运行
      6. 6.3.6  VSENSE 和 VINAC 电阻器配置
      7. 6.3.7  VSENSE 和 VINAC 开路保护
      8. 6.3.8  电流合成器
      9. 6.3.9  可编程峰值电流限制
      10. 6.3.10 线性乘法器与量化电压前馈
      11. 6.3.11 增强型瞬态响应（VA 转换率改正）
      12. 6.3.12 偏置电压（VCC 和 VREF）
      13. 6.3.13 PFC 启用和禁用
      14. 6.3.14 自适应软启动
      15. 6.3.15 PFC 启动保持
      16. 6.3.16 输出过压保护 (OVP)
      17. 6.3.17 零功耗检测
      18. 6.3.18 热关断
      19. 6.3.19 电流环路补偿
      20. 6.3.20 电压环路补偿
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输出电流计算
        2. 7.2.2.2 桥式整流器
        3. 7.2.2.3 PFC 电感器（L1和 L2）
        4. 7.2.2.4 PFC MOSFET（M1和 M2）
        5. 7.2.2.5 PFC 二极管
        6. 7.2.2.6 PFC 输出电容器
        7. 7.2.2.7 电流环路反馈配置（电流变压器匝数比 NCT 和电流感应电阻器 RS 的大小)
        8. 7.2.2.8 电流传感偏移和 PWM 斜坡以提高防噪性能
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TJ = TA = –40°C 至 125°C，VCC = 12V，GND = 0V，RRT = 75kΩ，RDMX = 68.1kΩ，RRDM = RSYN = 100kΩ，CCDR = 2.2nF
，CSS = CVREF = 0.1μF，CVCC = 1μF，IVREF = 0mA（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
辅助电源
VCC(SHUNT) VCC 并联电压(1) IVCC = 10mA 23 25 27 V
IVCC 电源电流 禁用 VVSENSE = 0V 7 mA
启用 VVSENSE = 3V（非开关） 9 12
UVLO VCC = 7V 200 µA
VCC = 9V 4 6 mA
VUVLO UVLO 导通阈值 在 VCC（上升）时测得 9.8 10.2 10.6 V
UVLO 迟滞 在 VCC（下降）时测得 1
VREF 使能阈值 在 VCC（上升）时测得 7.5 8 8.5 V
线性稳压器
VVREF 基准电压 无负载 IVREF = 0mA 5.82 6 6.18 V
加载抑制 作为 VVREF
的变化进行测量（IVREF = 0mA 和 –2mA)		 -12 12 mV
线路抑制 作为 VVREF
的变化进行测量（VCC = 11V 和 20V，IVREF = 0μA）		 TA = 25°C -12 12
TA = -40°C 至 125°C -16 16
启用 PFC
VEN 启用阈值 在 VSENSE（上升）时测得 0.65 0.75 0.85 V
使能迟滞 0.15
禁用外部 PFC
禁用阈值 在 SS（下降）时测得 0.5 0.6 V
迟滞 VVSENSE > 0.85V 0.15 V
振荡器
输出相移 在 GDA 和 GDB 之间测量 179 180 181 °
VDMAX，VRT，VRDM 时序调节电压 在 DMAX、RT 和 RDM 处测量 2.91 3 3.09 V
fPWM PWM 开关频率 RRT = 75kΩ，RDMX = 68.1kΩ，
VRDM = 0V，VCDR = 6V		 94 100 105 kHz
RRT = 24.9kΩ，RDMX = 22.6kΩ，
VRDM = 0V，VCDR = 6V		 270 290 330
DMAX 占空比钳位 RRT = 75kΩ，RDMX = 68.1kΩ，
VRDM = 0V，VCDR = 6V		 92% 95% 98%
最短可编程关断时间 RRT = 24.9kΩ，RDMX = 22.6kΩ，
VRDM = 0V，VCDR = 6V		 50 150 250 ns
fDM fPWM 的频率抖动幅度变化 RRDM = 316kΩ，RRT = 75kΩ 1 3 4.3 kHz
RRDM = 31.6kΩ，RRT = 24.9kΩ 23 30 36
fDR fPWM 的频率抖动率变化 RRDM = 100kΩ，CCDR = 2.2nF 3 kHz
RRDM = 100kΩ，CCDR = 0.3nF 20
ICDR 抖动率电流 在 CDR（灌电流和拉电流）处测得 ±10 μA
抖动禁用阈值 在 CDR（上升）时测得 5 5.25 V
时钟同步
VCDR SYNC 使能阈值 在 CDR（上升）时测得 5 5.25 V
SYNC 传播延迟 VCDR = 6V，从 RDM（上升）到 GDx（上升）测得 50 100 ns
SYNC 阈值（上升） VCDR = 6V，在 RDM 时测得 1.2 1.5 V
SYNC 阈值（下降） VCDR = 6V，在 RDM 时测得 0.4 0.7 V
tSYNC SYNC 脉冲宽度，最小值 正脉冲 0.2 μs
最大 SYNC 脉冲占空比(2) 50%
电压放大器
VSENSE 电压 在稳压状态下，TA = 25°C 2.94 3 3.06 V
VSENSE 电压 调节中 2.84 3 3.10 V
VSENSE 输入偏置电流 调节中 250 500 nA
VAO 高电压 VVSENSE = 2.9V 4.8 5 5.2 V
VAO 低电压 VVSENSE = 3.1V 0.05 0.5 V
gMV VAO 跨导 VVSENSE = 2.8V 至 3.2V，VVAO = 3V 70 μS
VAO 灌电流，过驱动限制 VVSENSE = 3.5V，VVAO = 3V 30 μA
VAO 源电流，过驱动 VVSENSE = 2.5V，VVAO = 3V，SS = 3V -30 μA
VAO 源电流，
过驱动限制 + ISRC		 VVSENSE = 2.5V，VVAO = 3V -130 μA
转换率校正阈值 测量值为
VVSENSE（下降）/VVSENSE（调节）		 92% 93% 95%
转换率改正磁滞 在 VSENSE（上升）时测得 3 9 mV
ISRC 转换率改正电流 在 VAO 时测得
包括 VAO 源电流		 -100 μA
转换率改正使得阈值 在 SS（上升）时测得 4 V
VAO 放电电流 VVSENSE = 0.5V，VVAO = 1V 10 μA
软启动
ISS SS 源电流 VVSENSE = 0.9V，VSS = 1V -10 μA
自适应源电流 VVSENSE = 2V，VSS = 1V -1.5 -2.5 mA
自适应 SS 禁用 测量值为 VVSENSE – VSS -30 0 30 mV
SS 灌电流 VVSENSE = 0.5V，VSS = 0.2V 0.5 0.9 mA
过压
VOVP OVP 阈值 测量公式为
VVSENSE（上升）/VVSENSE（调节）		 104% 106% 108%
OVP 迟滞 在 VSENSE（下降）时测得 100 mV
OVP 传播延迟 在 VSENSE（上升）和
GDx（下降）之间测得		 0.2 0.3 μs
零功耗
VZPWR 零功耗检测阈值 在 VAO（下降）时测得 0.65 0.75 V
零功率磁滞 0.15 V
乘法器
KMULT 增益常量 VVAO ≥ 1.5V，TA = 25°C 15.4 17 20 μA
VVAO = 1.2V，TA = 25°C 13.5 17 20.5
VVAO ≥ 1.5V 14 17 22
VVAO = 1.2V 12 17 22.5
IIMO 输出电流：零 VVINAC = 0.9VPK，VVAO = 0.8V -0.2 0 0.2 μA
VVINAC = 0V，VVAO = 5V -0.2 0 0.2
量化电压前馈
VLVL1 级别 1 阈值(3) 在 VINAC（上升）时测得 0.6 0.7 0.8 V
VLVL2 级别 2 阈值 在 VINAC（上升）时测得 1.0 V
VLVL3 级别 3 阈值 在 VINAC（上升）时测得 1.2 V
VLVL4 级别 4 阈值 在 VINAC（上升）时测得 1.4 V
VLVL5 级别 5 阈值 在 VINAC（上升）时测得 1.65 V
VLVL6 级别 6 阈值 在 VINAC（上升）时测得 1.95 V
VLVL7 级别 7 阈值 在 VINAC（上升）时测得 2.25 V
VLVL8 级别 8 阈值 在 VINAC（上升）时测得 2.6 V
电流放大器
CAOx 高压 5.75 6 V
CAOx 低压 0.1 V
gMC CAOx 跨导 100 μS
CAOx 灌电流，过驱动 50 μA
CAOx 拉电流，过驱动 -50 μA
输入共模范围 0 3.6 V
输入偏移电压 VRSYNTH = 6V，TA = 25°C -16 -8 0 mV
VRSYNTH = 6V -50 -8 40
输入偏移电压 -50 -8 40 mV
相位不匹配 测量值为 A 相输入偏移
减去 B 相输入偏移		 TA = 25°C -12 0 12 mV
TA = -40°C 至 125°C -20 14
CAOx 下拉电流 VVSENSE = 0.5V，VCAOx = 0.2V 0.5 0.9 mA
电流合成器
VRSYNTH 稳压电压 VVSENSE = 3V、VVINAC = 0V 2.91 3 3.09 V
VVSENSE = 3V、VVINAC = 2.85V 0.1 0.15 0.2
合成器禁用阈值 在 RSYNTH（上升）时测得 5 5.25 V
VINAC 输入偏置电流 0.25 0.5 μA
峰值电流限制
峰值电流限制阈值 VPKLMT = 3.3V，在 CSx（上升）时测得 3.27 3.3 3.33 V
峰值电流限制填充延迟 在 CSx（上升）和
GDx（下降）边沿之间测得		 60 100 ns
PWM RAMP
VRMP PWM 斜升幅度 3.8 4 4.2 V
PWM 斜升偏移电压 TA = 25°C，RRT = 75kΩ 0.55 0.7 V
PWM 斜升偏移温度系数 -2 mV/°C
栅极驱动
GDA、GDB 输出电压，高电平，钳位 VCC = 20V，CLOAD = 1nF 11.5 13 15 V
GDA、GDB 输出电压（高电平） CLOAD = 1nF 10 10.5 V
GDA、GDB 输出电压（低电平） CLOAD = 1nF 0.2 0.3 V
上升时间 GDx 1V 至 9V，CLOAD = 1nF 18 30 ns
下降时间 GDx 9V 至 1V，CLOAD = 1nF 12 25 ns
GDA、GDB 输出电压 (UVLO) VCC = 0V，IGDA，IGDB = 2.5mA 0.7 2 V
热关断
热关断阈值 160 °C
热关断恢复 140 °C
(1) VCC 输入电压或电流过高会损坏器件。该 VCC 钳位无法保护器件免受非稳压辅助电源的影响。如果使用非稳压电源，TI 建议使用串联固定正电压稳压器，例如 UA78L15A。有关 VCC 电压和电流限制，请参阅 节 5.1。
(2) 由于同步脉冲宽度对最大 PWM 开关占空比 (DMAX) 可编程性的影响，TI 建议尽可能减小同步信号的占空比。
(3) 级别 1 阈值表示过零检测阈值，高于该阈值时 VINAC 必须上升以启动新的输入半个周期，低于该阈值时 VINAC 必须下降以终止该半个周期。