11 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (August 2016)to RevisionE (July 2025)
- 通篇添加了 TMP411D 器件Go
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 通篇将术语“主器件”更改为“控制器”,将“从器件”更改为“目标”Go
- 通篇更新了“转换时间”Go
- 通篇更改了平均电流和关断电流Go
- 更新了 D+/D- 引脚上的最大额定电压。Go
- 更新了 4、6、7、8 引脚上的最大额定电压。Go
- 更新了 V+ 引脚上的最大额定电压。Go
- 为新芯片添加了 D 和 DGK 封装“热性能信息”。Go
- 在电气特性表中添加了新芯片的“转换时间”。Go
- 更新了迟滞典型值的拼写错误,从 500mV 更新为 170mVGo
- 在电气特性表中添加了新芯片的“逻辑输入电流”。Go
- 在电气特性表中添加了新芯片的“输出低电压”。Go
- 在电气特性表中添加了新芯片的“高电平输出漏电流”。Go
- 在电气特性表中添加了新芯片的“静态电流”和所有测试条件。Go
- 更新了 fs=40KHz 的拼写错误,更改为 fs=400KHz。Go
- 删除了对欠压锁定的限制Go
- 在电气特性表中添加了新芯片的“上电复位阈值”Go
- 在电气特性 表中添加了欠压检测值Go
- 将新芯片高速模式下的 t(SUDAT) 从 10ns 更改为 20nsGo
- 添加了新芯片的“典型特性 (TMP411)”图Go
- 更新了概述部分基本连接图Go
- 更新了功能方框图和简化方框图
Go
- 更新了欠压锁定部分,因为新芯片的 POR 会删除欠压锁定电压Go
- 向关断模式 (SD) 部分添加了说明文字,以便与实际器件行为保持一致Go
- 更新了状态寄存器部分,因为新芯片的 POR 会删除欠压锁定电压Go
- 在设计要求部分添加了 D+ 波形Go
- 更新了详细设计过程部分Go
- 添加了文档支持 和相关文档 部分Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (May 2008)to RevisionD (August 2016)
- 向特性 部分添加了“用于系统校准的偏移寄存器”和“与 ADT7461 和 ADM1032 兼容的引脚和寄存器”Go
- 在器件信息 表中保留了 VSSOP 作为封装选项,以便与 POA 和 eMSG 信息匹配Go
- 通篇将“MSOP-8”更改为“VSSOP-8”Go
- 在引脚配置和功能 部分中添加了封装标识符和引脚排列图Go
- 添加了功能方框图
Go
- 添加了时序图 部分Go
- 添加了电源相关建议 信息Go