ZHCST60E December   2006  – July 2025 TMP411 , TMP411D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性 (TMP411)
    6. 6.6  电气特性 (TMP411D)
    7. 6.7  计时特点
    8. 6.8  两线制时序图
    9. 6.9  典型特性 (TMP411)
    10. 6.10 典型特性 (TMP411D)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 串联电阻抵消
      2. 7.3.2 差分输入电容
      3. 7.3.3 温度测量数据
      4. 7.3.4 THERM（引脚 4）和 ALERT/THERM2（引脚 6）
      5. 7.3.5 传感器故障
      6. 7.3.6 欠压锁定（仅限 TMP411）
      7. 7.3.7 滤波
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式 (SD)
      2. 7.4.2 单次转换
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1  串行接口
      2. 7.5.2  总线概述
      3. 7.5.3  时序图
      4. 7.5.4  串行总线地址
      5. 7.5.5  读写操作
      6. 7.5.6  超时功能
      7. 7.5.7  高速模式
      8. 7.5.8  通用广播复位
      9. 7.5.9  软件复位
      10. 7.5.10 SMBus 警报功能
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1  寄存器信息
    2. 8.2  指针寄存器
    3. 8.3  温度寄存器
    4. 8.4  限值寄存器
    5. 8.5  状态寄存器
    6. 8.6  配置寄存器
    7. 8.7  分辨率寄存器
    8. 8.8  转换速率寄存器
    9. 8.9  N 因数校正寄存器
    10. 8.10 最小值和最大值寄存器
    11. 8.11 连续警报寄存器
    12. 8.12 THERM 迟滞寄存器
    13. 8.13 远程温度偏移寄存器
    14. 8.14 标识寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性 (TMP411)

在 TA = -40°C 至 +125°C 且 V+ = 2.7V 至 5.5V 时，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
温度误差
TERROR(LOCAL) 本地温度传感器 TA = 15°C 至 85°C
V+ = 3.3V		 -1 ±0.25 1 °C
TA = -40°C 至 125°C -2.5 ±1.25 2.5
TERROR(REMOTE) 远程温度传感器(1) TA = 15°C 至 75°C
TDIODE = -40°C 至 150°C
V+ = 3.3V		 -1 ±0.0625 1 °C
TA = -40°C 至 100°C
TDIODE = -40°C 至 150°C
V+ = 3.3V		 -3 ±1 3
TA = -40°C 至 125°C
TDIODE = -40°C 至 150°C
V+ = 3.3V		 -5 ±3 5
TERROR_PS 温度误差电源灵敏度（本地和远程） V+ = 2.7V 至 5.5V
TDIODE = -40°C 至 150°C		 -0.5 ±0.2 0.5 °C/V
温度测量
tCONV 转换时间 单次触发模式 旧芯片 105 115 125 ms
新芯片 30 35 40
TRES 分辨率 本地温度传感器（可编程） 9 12 位
远程温度传感器 12
RSERIES 远程传感器拉电流 高 串联电阻：3kΩ（最大值） 120 µA
中高 60
中低 仅旧芯片 12
低 6
η 远程晶体管理想因数 优化的理想因数 1.008
SMBus 接口
VIH 逻辑输入高电压（SCL、SDA） 2.1 V
VIL 逻辑输入低电压（SCL、SDA） 0.8 V
VHYST 迟滞 170 mV
SMBus 输出低电平灌电流 6 mA
ILI 和 ILO 逻辑输入电流 旧芯片 -1 1 µA
新芯片 -0.2 0.2
CIN SMBus 输入电容（SCL、SDA） 3 pF
SMBus 时钟频率 3.4 MHz
SMBus 超时 25 30 35 ms
SCL 下降沿至 SDA 有效时间 1 µs
数字输出
VOL 输出低电压 IOUT = 6mA 旧芯片 0.15 0.4 V
新芯片 0.3 0.4
IOH 高电平输出漏电流 VOUT = V+ 旧芯片 0.1 1 µA
新芯片 0.05 0.2
ALERT 或 THERM2 输出低电平灌电流 ALERT/THERM2 强制设置为 0.4V 6 mA
THERM 输出低电平灌电流 THERM 强制设置为 0.4V 6 mA
电源
V+ 特定电压范围 2.7 5.5 V
IDD_AVG 平均电流消耗 0.0625Hz 转换
V+ = 3.3V		 旧芯片 28 30 µA
新芯片 1.5 8.2
8Hz 转换
V+ = 3.3V		 旧芯片 400 475
新芯片 45 85
IDD_SD 关断电流 串行总线无效 旧芯片 3 10 µA
新芯片 0.6 7
串行总线有效，fs = 400kHz 旧芯片 90
新芯片 7
串行总线有效，fs = 3.4MHz 旧芯片 350
新芯片 55
欠压锁定 旧芯片 2.3 2.4 2.6 V
此行为与上电复位 (POR) 同时出现。更多信息，请参阅第 7.3.6 节和脚注(2) 新芯片
POR 上电复位阈值 旧芯片 1.6 2.3 V
新芯片 1.23 1.4
欠压检测 新芯片 1 1.14 V
(1) 在小于 5Ω 的有效串联电阻和 100pF 差分输入电容下进行了测试。TA 是 TMP411 的环境温度。TDIODE 是远程二极管传感器处的温度。
(2) 当未连接远程二极管时，必须在电源斜升速率小于 240V/s 的情况下忽略第一次远程转换。