ZHCST60E December   2006  – July 2025 TMP411 , TMP411D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性 (TMP411)
    6. 6.6  电气特性 (TMP411D)
    7. 6.7  计时特点
    8. 6.8  两线制时序图
    9. 6.9  典型特性 (TMP411)
    10. 6.10 典型特性 (TMP411D)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 串联电阻抵消
      2. 7.3.2 差分输入电容
      3. 7.3.3 温度测量数据
      4. 7.3.4 THERM（引脚 4）和 ALERT/THERM2（引脚 6）
      5. 7.3.5 传感器故障
      6. 7.3.6 欠压锁定（仅限 TMP411）
      7. 7.3.7 滤波
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式 (SD)
      2. 7.4.2 单次转换
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1  串行接口
      2. 7.5.2  总线概述
      3. 7.5.3  时序图
      4. 7.5.4  串行总线地址
      5. 7.5.5  读写操作
      6. 7.5.6  超时功能
      7. 7.5.7  高速模式
      8. 7.5.8  通用广播复位
      9. 7.5.9  软件复位
      10. 7.5.10 SMBus 警报功能
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1  寄存器信息
    2. 8.2  指针寄存器
    3. 8.3  温度寄存器
    4. 8.4  限值寄存器
    5. 8.5  状态寄存器
    6. 8.6  配置寄存器
    7. 8.7  分辨率寄存器
    8. 8.8  转换速率寄存器
    9. 8.9  N 因数校正寄存器
    10. 8.10 最小值和最大值寄存器
    11. 8.11 连续警报寄存器
    12. 8.12 THERM 迟滞寄存器
    13. 8.13 远程温度偏移寄存器
    14. 8.14 标识寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.1 设计要求

TMP411/TMP411D 旨在与处理器芯片和 ASIC 中内置的分立晶体管或基板晶体管一起使用。只要将基极-发射极结用作远程温度传感器，就可以使用 NPN 或 PNP 晶体管。可以使用晶体管或二极管连接，如图 7-1 所示。图 9-3 展示了在 D+ 和 D- 引脚之间连接一个晶体管时的 D+ 引脚波形。由于 功能方框图 中显示了 3 个不同的源电流，因此 D+ 波形在温度转换期间会呈现 3 个电压电平。

TMP411 TMP411D D+ 波形图 9-3 D+ 波形

远程温度传感器读数误差源于多个因素，包括理想因数和 TMP411/TMP411D 的电流激励与制造商为给定晶体管指定的工作电流之间的差异。一些制造商为温度检测基板晶体管指定了高电平和低电平电流。TMP411/TMP411D 的 ILOW 值为 6μA，IHIGH 值为 120μA。TMP411/TMP411D 允许使用不同的 n 因数值，如 表 8-6 所示。

理想因数 (n) 是与理想二极管相比得出的远程温度传感器二极管的测量特性。理想因数减小为 1.008。如果晶体管的理想因数与 TMP411/TMP411D 不匹配，则使用 方程式 4 计算温度误差。请注意，必须将公式中的实际温度 (°C) 转换为开尔文 (°K) 才能得出正确结果。

方程式 4. TMP411 TMP411D orTERR=nactual - nexpectednexpected×273.15+Tactual֯C

其中：

  • n 或 nactual = 远程温度传感器的理想因数
  • T(°C) 或 Tactual(°C) = 实际温度
  • TERR = Treported - Tactual = 由于 n 或 nactual ≠ 1.008 而导致的器件读数误差
  • °C 和 °K 的温度变化幅度相同
  • nexpected = 1.008

对于 n = 1.004 且 T(°C) = 100°C 的情况，请使用 方程式 5：

方程式 5. TMP411 TMP411D

如果将分立式晶体管用作远程温度传感器，根据以下标准选择晶体管可获得出色的精度。

  1. 在最高检测温度下，6μA 时的基极-发射极电压 > 0.25V。
  2. 在最低检测温度下，120μA 时的基极-发射极电压 < 0.95V。
  3. 基极电阻 < 100Ω
  4. hFE 的变化幅度很小（50 至 150），表示对 VBE 特性的严格控制。

根据这些标准，TI 建议使用两个小信号晶体管，例如 2N3904 (NPN) 或 2N3906 (PNP)。