ZHCSXN2 December   2024 MCF8315D

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 标准和快速模式下 SDA 和 SCL 总线的特征
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  输出级
      2. 6.3.2  器件接口
        1. 6.3.2.1 接口 - 控制和监控
        2. 6.3.2.2 I2C 接口
      3. 6.3.3  混合模式降压稳压器
        1. 6.3.3.1 以电感器模式降压
        2. 6.3.3.2 以电阻器模式降压
        3. 6.3.3.3 具有外部 LDO 的降压稳压器
        4. 6.3.3.4 降压稳压器上的 AVDD 电源时序
        5. 6.3.3.5 混合模式降压运行和控制
      4. 6.3.4  AVDD 线性稳压器
      5. 6.3.5  电荷泵
      6. 6.3.6  压摆率控制
      7. 6.3.7  跨导（死区时间）
      8. 6.3.8  电机控制输入源
        1. 6.3.8.1 模拟模式电机控制
        2. 6.3.8.2 PWM 模式电机控制
        3. 6.3.8.3 基于 I2C 的电机控制
        4. 6.3.8.4 频率模式电机控制
        5. 6.3.8.5 输入基准曲线
          1. 6.3.8.5.1 线性控制曲线
          2. 6.3.8.5.2 阶梯控制曲线
          3. 6.3.8.5.3 正向/反向曲线
          4. 6.3.8.5.4 多基准模式运行
          5. 6.3.8.5.5 不使用分析器情况下的输入基准传递函数
      9. 6.3.9  在不同初始条件下启动电机
        1. 6.3.9.1 案例 1 – 电机静止
        2. 6.3.9.2 案例 2 – 电机正向旋转
        3. 6.3.9.3 案例 3 – 电机反向旋转
      10. 6.3.10 电机启动顺序 (MSS)
        1. 6.3.10.1 初始速度检测 (ISD)
        2. 6.3.10.2 电机重新同步
        3. 6.3.10.3 反向驱动
          1. 6.3.10.3.1 反向驱动调谐
        4. 6.3.10.4 电机启动
          1. 6.3.10.4.1 对齐
          2. 6.3.10.4.2 双对齐
          3. 6.3.10.4.3 初始位置检测 (IPD)
            1. 6.3.10.4.3.1 IPD 运行
            2. 6.3.10.4.3.2 IPD 释放模式
            3. 6.3.10.4.3.3 IPD 超前角度
          4. 6.3.10.4.4 显示首个周期启动
          5. 6.3.10.4.5 开环
          6. 6.3.10.4.6 从开环转换到闭环
      11. 6.3.11 闭环运行
        1. 6.3.11.1 闭环加速/减速压摆率
        2. 6.3.11.2 速度 PI 控制
        3. 6.3.11.3 电流 PI 控制
        4. 6.3.11.4 电源控制模式
        5. 6.3.11.5 电流（扭矩）控制模式
        6. 6.3.11.6 调制指数控制
        7. 6.3.11.7 过调制
        8. 6.3.11.8 电机速度限制
        9. 6.3.11.9 输入直流功率限制
      12. 6.3.12 弱磁控制
      13. 6.3.13 电机参数
        1. 6.3.13.1 电机电阻
        2. 6.3.13.2 电机电感
        3. 6.3.13.3 电机反电动势常数
      14. 6.3.14 电机参数提取工具 (MPET)
      15. 6.3.15 防电压浪涌 (AVS)
      16. 6.3.16 主动制动
      17. 6.3.17 输出 PWM 开关频率
      18. 6.3.18 PWM 抖动
      19. 6.3.19 PWM 调制方案
      20. 6.3.20 死区时间补偿
      21. 6.3.21 电机停止运转选项
        1. 6.3.21.1 滑行（高阻态）模式
        2. 6.3.21.2 再循环模式
        3. 6.3.21.3 低侧制动
        4. 6.3.21.4 高侧制动
        5. 6.3.21.5 主动降速
      22. 6.3.22 对齐制动
      23. 6.3.23 FG 配置
        1. 6.3.23.1 FG 输出频率
        2. 6.3.23.2 开环和闭环状态期间的 FG
        3. 6.3.23.3 故障和空闲状态期间的 FG
      24. 6.3.24 保护功能
        1. 6.3.24.1  VM 电源欠压锁定
        2. 6.3.24.2  AVDD 欠压锁定 (AVDD_UV)
        3. 6.3.24.3  降压欠压锁定 (BUCK_UV)
        4. 6.3.24.4  VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 6.3.24.5  过压保护 (OVP)
        6. 6.3.24.6  过流保护 (OCP)
          1. 6.3.24.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 6.3.24.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
        7. 6.3.24.7  降压过流保护
        8. 6.3.24.8  硬件锁定检测电流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
          1. 6.3.24.8.1 HW_LOCK_ILIMIT 锁存关断
          2. 6.3.24.8.2 HW_LOCK_ILIMIT 自动恢复
          3. 6.3.24.8.3 HW_LOCK_ILIMIT 仅报告
          4. 6.3.24.8.4 HW_LOCK_ILIMIT 已禁用
        9. 6.3.24.9  锁定检测电流限制 (LOCK_ILIMIT)
          1. 6.3.24.9.1 LOCK_ILIMIT 锁存关断
          2. 6.3.24.9.2 LOCK_ILIMIT 自动恢复
          3. 6.3.24.9.3 LOCK_ILIMIT 仅报告
          4. 6.3.24.9.4 LOCK_ILIMIT 已禁用
        10. 6.3.24.10 电机锁定检测
          1. 6.3.24.10.1 锁定 1：异常速度 (ABN_SPEED)
          2. 6.3.24.10.2 锁定 2：异常 BEMF (ABN_BEMF)
          3. 6.3.24.10.3 Lock3：无电机故障 (NO_MTR)
        11. 6.3.24.11 电机锁定 (MTR_LCK)
          1. 6.3.24.11.1 MTR_LCK 锁存关断
          2. 6.3.24.11.2 MTR_LCK 自动恢复
          3. 6.3.24.11.3 MTR_LCK 仅报告
          4. 6.3.24.11.4 MTR_LCK 已禁用
        12. 6.3.24.12 EEPROM 故障
        13. 6.3.24.13 I2C CRC 故障
        14. 6.3.24.14 最小 VM（欠压）保护
        15. 6.3.24.15 最大 VM（过压）保护
        16. 6.3.24.16 MPET 故障
        17. 6.3.24.17 IPD 故障
        18. 6.3.24.18 FET 热警告 (OTW)
        19. 6.3.24.19 FET 热关断 (TSD_FET)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 待机模式
        3. 6.4.1.3 故障复位 (CLR_FLT)
    5. 6.5 外部接口
      1. 6.5.1 DRVOFF 功能
      2. 6.5.2 DAC 输出
      3. 6.5.3 电流检测输出
      4. 6.5.4 振荡源
        1. 6.5.4.1 外部时钟源
      5. 6.5.5 外部看门狗
    6. 6.6 EEPROM 访问和 I2C 接口
      1. 6.6.1 EEPROM 访问
        1. 6.6.1.1 EEPROM 写入
        2. 6.6.1.2 EEPROM 读取
        3. 6.6.1.3 EEPROM Security
      2. 6.6.2 I2C 串行接口
        1. 6.6.2.1 I2C 数据字
        2. 6.6.2.2 I2C 写入事务
        3. 6.6.2.3 I2C 读取事务
        4. 6.6.2.4 I2C 通信协议数据包示例
        5. 6.6.2.5 I2C 时钟延展
        6. 6.6.2.6 CRC 字节计算
  8. 7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
    1. 7.1 Algorithm_Configuration 寄存器
    2. 7.2 Fault_Configuration 寄存器
    3. 7.3 Hardware_Configuration 寄存器
    4. 7.4 Internal_Algorithm_Configuration 寄存器
  9. 8 RAM（易失性）寄存器映射
    1. 8.1 Fault_Status 寄存器
    2. 8.2 System_Status 寄存器
    3. 8.3 器件控制寄存器
    4. 8.4 Algorithm_Control 寄存器
    5. 8.5 算法变量寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用曲线
        1. 9.2.1.1 电机启动
        2. 9.2.1.2 MPET
        3. 9.2.1.3 死区时间补偿
        4. 9.2.1.4 自动转换
        5. 9.2.1.5 抗电压浪涌 (AVS)
        6. 9.2.1.6 使用 DACOUT 进行实时变量跟踪
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 大容量电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
      3. 9.4.3 散热注意事项
        1. 9.4.3.1 功率耗散
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 支持资源
    2. 10.2 商标
    3. 10.3 静电放电警告
    4. 10.4 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +150°C，VVM = 4.5V 至 35V（除非另有说明）。典型限值适用于 TA = 25°C、VVM = 24V
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
IVMQ VM 睡眠模式电流 VVM > 6V，VSPEED = 0，TA = 25°C 3 5 µA
VSPEED = 0，TA = 125°C 3.5 7 µA
IVMS VM 待机模式电流 VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，TA = 25°C，LBK = 47µH，CBK = 22µF  8 16 mA
VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，TA = 25°C，RBK = 22Ω，CBK = 22µF 25 29 mA
VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，LBK = 47uH，CBK = 22µF  8 16.5 mA
VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，RBK = 22Ω，CBK = 22µF 25 29 mA
IVM VM 工作模式电流 VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TA = 25°C，LBK = 47uH，CBK = 22µF，未连接电机 11 18 mA
VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TA = 25°C，RBK = 22Ω，CBK = 22µF，未连接电机 27 31.5 mA
VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，LBK = 47uH，CBK = 22µF，未连接电机 11 18 mA
VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，RBK = 22Ω，CBK = 22µF，未连接电机 28 32 mA
VAVDD 模拟稳压器电压 0mA ≤ IAVDD ≤ 20mA 3.125 3.3 3.465 V
IAVDD 外部模拟稳压器负载 20 mA
VDVDD 数字稳压器电压 1.4 1.55 1.65 V
VVCP 电荷泵稳压器电压 VCP，以 VM 为基准 4.0 4.7 5.5 V
降压稳压器
VBK 降压稳压器平均电压
（LBK = 47µH，CBK = 22µF）
 		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 00b 3.1 3.3 3.5 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 01b 4.6 5.0 5.4 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 10b 3.7 4.0 4.3 V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 11b 5.2 5.7 5.8 V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 170mA VVM–IBK*(RLBK+2) 1 V
VBK 降压稳压器平均电压
（LBK = 22µH，CBK = 22µF）
 		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 00b 3.1 3.3 3.5 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 01b 4.6 5.0 5.4 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 10b 3.7 4.0 4.3 V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 11b 5.2 5.7 5.8 V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 20mA VVM–IBK*(RLBK+2)1 V
VBK 降压稳压器平均电压
（RBK = 22Ω，CBK = 22µF）
 		 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 00b 3.1 3.3 3.5 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 01b 4.6 5.0 5.4 V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 10b 3.7 4.0 4.3 V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 11b 5.2 5.7 5.8 V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 10mA VVM–IBK*(RBK+2) V
VBK_RIP 降压稳压器纹波电压 VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，带电感器的降压稳压器，LBK = 47uH，CBK = 22µF -100 100 mV
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，带电感器的降压稳压器，LBK = 22uH，CBK = 22µF -100 100 mV
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，带电阻器的降压稳压器；RBK = 22Ω，CBK = 22µF -100 100 mV
IBK 外部降压稳压器负载 LBK = 47uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b 170 mA
LBK = 47uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b 170 – IAVDD mA
LBK = 22uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b 20 mA
LBK = 22uH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b 20 – IAVDD mA
RBK = 22Ω，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b 10 mA
RBK = 22Ω，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b 10 – IAVDD mA
fSW_BK 降压稳压器开关频率 调节模式 20 535 kHz
线性模式 20 535 kHz
VBK_UVLO 降压稳压器欠压锁定
 		 VBK 上升，BUCK_SEL = 00b 2.7 2.8 2.95 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 00b 2.5 2.6 2.7 V
VBK 上升，BUCK_SEL = 01b 4.3 4.4 4.55 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 01b 4.1 4.2 4.42 V
VBK 上升，BUCK_SEL = 10b 2.7 2.8 2.95 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 10b 2.5 2.6 2.7 V
VBK 上升，BUCK_SEL = 11b 4.3 4.4 4.55 V
VBK 下降，BUCK_SEL = 11b 4.1 4.2 4.42 V
VBK_UVLO_HYS 降压稳压器欠压锁定迟滞 上升至下降阈值，BUCK_SEL = 00b 90 200 400 mV
上升至下降阈值，BUCK_SEL = 01b 70 200 400 mV
上升至下降阈值，BUCK_SEL = 10b 90 200 400 mV
上升至下降阈值，BUCK_SEL =11b 70 200 400 mV
IBK_CL 降压稳压器电流限制阈值
 		 BUCK_CL = 0b 360 600 910 mA
BUCK_CL = 1b 80 150 250 mA
IBK_OCP 降压稳压器过流保护跳变点 2 3 4 A
tBK_RETRY 过流保护重试时间 0.7 1 1.3 ms
驱动器输出
RDS(ON) (RGF) MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧） VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 240 260 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 250 270 mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 150°C 360 400 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 150°C 370 415 mΩ
RDS(ON) (RRY) MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧） VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 250 270 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 260 280 mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C 375 415 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C 385 425 mΩ
RDS(ON) (PWP) MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧） VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 265 280 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C 275 290 mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 150°C 390 430 mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 150°C 400 440 mΩ
SR 相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%） VVM = 24V，SLEW_RATE = 10b 80 125 210 V/µs
VVM = 24V，SLEW_RATE = 11b 130 200 315 V/µs
SR 相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%） VVM = 24V，SLEW_RATE = 10b 80 125 235 V/µs
VVM = 24V，SLEW_RATE = 11b 130 200 345 V/µs
tDEAD 输出死区时间（高电平到低电平/低电平到高电平） VVM = 24V，SR = 125V/µs 650 850 ns
VVM = 24V，SR = 200V/µs 500 550 ns
速度输入 - PWM 模式
ƒPWM PWM 输入频率 0.01 100 kHz
ResPWM PWM 输入分辨率 fPWM = 0.01kHz 至 0.35kHz 11 12 13 位
fPWM = 0.35kHz 至 2kHz 11 13 14 位
fPWM = 2kHz 至 3.5kHz 11 11.5 12 位
fPWM = 3.5kHz 至 7kHz 12 13 13.5 位
fPWM = 7kHz 至 14kHz 11 12 12.5 位
fPWM = 14kHz 至 29.2kHz  10 11.5 12 位
fPWM = 29.3kHz 至 60kHz 9 10.5 11 位
fPWM = 60kHz 至 100kHz 8 9 10 位
速度输入 - 模拟模式
VANA_FS 模拟全速电压 2.95 3 3.05 V
VANA_RES 模拟电压分辨率 732 μV
速度输入 - 频率模式
ƒPWM_FREQ PWM 输入频率范围  占空比 = 50% 3 32767 Hz
睡眠模式
VEN_SL 进入睡眠模式的模拟电压 SPEED_MODE = 00b（模拟模式） 40 mV
VEX_SL 退出睡眠模式的模拟电压 SPEED_MODE = 00b（模拟模式） 2.2 V
tDET_ANA 检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间  SPEED_MODE= 00b（模拟模式）
VSPEED > VEX_SL		 0.5 1 1.5 μs
tWAKE 从睡眠状态唤醒的时间 VSPEED > VEX_SL 以使 DVDD 电压可用，SPEED_MODE = 00b（模拟模式） 3 5 ms
tEX_SL_DR_ANA 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 (MCF8315D) SPEED_MODE = 00b（模拟模式），DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲，ISD 检测禁用 30 ms
tEX_SL_DR_ANA 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 (MCF8315DUL) SPEED_MODE = 00b（模拟模式），DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲，ISD 检测禁用 180 ms
tDET_PWM 检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间  SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），VSPEED > VIH 0.5 1 1.5 μs
tWAKE_PWM 从睡眠状态唤醒的时间 VSPEED > VIH 以使 DVDD 电压可用，SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式） 3 5 ms
tEX_SL_DR_PWM 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 (MCF8315D) SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲，ISD 检测禁用 30 ms
tEX_SL_DR_PWM 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 (MCF8315DUL) SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲，ISD 检测禁用 180 ms
tDET_SL_ANA 检测睡眠命令所需的时间，模拟模式 SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b 0.035 0.05 0.065 ms
SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL, SLEEP_ENTRY_TIME = 00b 或 01b 0.14 0.2 0.26 ms
SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b 14 20 26 ms
SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME = 11b 140 200 260 ms
tDET_SL_PWM 检测睡眠命令、PWM 或频率模式所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b		 0.035 0.05 0.065 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 01b		 0.14 0.2 0.26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b		 14 20 26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 11b		 140 200 260 ms
tEN_SL 检测到睡眠命令后停止驱动电机所需的时间 SPEED < VEN_SL（模拟模式）或 VSPEED < VIL（PWM 模式或频率模式）或 VSPEED < VIL 和 DIGITAL_SPEED_CTRL = 0b（I2C 模式） 1 2 ms
待机模式
tEX_SB_DR_ANA 退出待机模式后驱动电机所需的时间，模拟模式 SPEED_MODE = 00b（模拟模式），VSPEED > VEX_SB，禁用 ISD 检测 6 ms
tEX_SB_DR_PWM 退出待机模式后驱动电机所需的时间，PWM 模式 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）
VSPEED > VIH，禁用 ISD 检测		 6 ms
tDET_SB_ANA 检测待机模式所需的时间，模拟模式 SPEED_MODE = 00b（模拟模式），VSPEED < VEN_SB 0.5 1 2 ms
tDET_SB_PWM 检测待机命令、PWM 或频率模式所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b		 0.035 0.05 0.065 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 01b 0.14 0.2 0.26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b 14 20 26 ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 11b		 140 200 260 ms
tDET_SB_DIG 检测待机模式所需的时间，I2C 模式 SPEED_MODE = 10b（I2C 模式），DIGITAL_SPEED_CTRL = 0b 1 2 ms
tEN_SB 检测到待机命令后停止驱动电机所需的时间 所有基准输入模式 1 2 ms
逻辑电平输入（BRAKE、DIR、EXT_CLK、EXT_WD、SPEED）
VIL 输入逻辑低电平电压 AVDD = 3V 至 3.6V 0.25*AVDD V
VIH 输入逻辑高电平电压 AVDD = 3V 至 3.6V 0.65*AVDD V
VHYS 输入迟滞 50 500 800 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 AVDD = 3V 至 3.6V -0.15 0.15 µA
IIH 输入逻辑高电平电流 AVDD = 3V 至 3.6V -0.3 0 µA
RPD_SPEED 输入下拉电阻 SPEED 引脚至 GND 0.6 1 1.4 MΩ
开漏输出（nFAULT、FG）
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = -5mA 0.4 V
IOZ 输出逻辑高电平电流 VOD = 3.3V 0 0.5 µA
I2C 串行接口
VI2C_L 输入逻辑低电平电压 -0.5 0.3*AVDD V
VI2C_H 输入逻辑高电平电压 0.7*AVDD 5.5 V
VI2C_HYS 迟滞  0.05*AVDD V
VI2C_OL 输出逻辑低电平电压 2mA 灌电流漏极开路  0 0.4 V
II2C_OL 输出逻辑低电平电流 VI2C_OL = 0.6V 6 mA
II2C_IL SDA 和 SCL 上的输入电流 -102 102 µA
Ci SDA 和 SCL 的电容 10 pF
tof 从 VI2C_H（最小值）到 VI2C_L（最大值）的输出下降时间 标准模式 2503 ns
快速模式 2503 ns
tSP 必须由输入滤波器进行抑制的尖峰脉冲宽度 快速模式 0 504 ns
振荡器
fOSCREF 外部时钟基准 EXT_CLK_CONFIG = 000b 8 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 001b 16 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 010b 32 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 011b 64 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 100b 128 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 101b 256 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 110b 512 kHz
EXT_CLK_CONFIG = 111b 1024 kHz
EEPROM
EEProg 编程电压 1.35 1.5 1.65 V
EERET 保持 TA = 25°C 100 年
TJ = -40°C 至 150℃ 10 年
EEEND 耐久性 TJ = -40°C 至 150℃ 1000 周期
TJ = -40°C 至 85℃ 20000 周期
保护电路
VUVLO 电源欠压锁定 (UVLO) VM 上升 4.3 4.4 4.51 V
VM 下降 4.1 4.2 4.32 V
VUVLO_HYS 电源欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 90 200 350 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 3 5 7 µs
VOVP 电源过压保护 (OVP) 阈值 电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 0 32.5 34 35 V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 0 31.8 33 34.3 V
电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1 20 22 23 V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1 19 21 22 V
VOVP_HYS 电源过压保护迟滞 上升至下降阈值，OVP_SEL = 1 0.9 1 1.15 V
上升至下降阈值，OVP_SEL = 0 0.7 0.8 0.9 V
tOVP 电源过压抗尖峰脉冲时间 2.5 5 7 µs
VCPUV 电荷泵欠压锁定（高于 VM） 电源上升 2.25 2.5 2.75 V
电源下降 2.2 2.4 2.6 V
VCPUV_HYS 电荷泵 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 65 100 150 mV
VAVDD_UV 模拟稳压器 (AVDD) 欠压锁定 电源上升 2.7 2.85 3 V
电源下降 2.48 2.65 2.8 V
VAVDD_UV_HYS 模拟稳压器欠压锁定迟滞 上升至下降阈值 180 200 240 mV
IOCP 过流保护跳变点 OCP_LVL = 0b 5.5 9 12 A
OCP_LVL = 1b 9 13 18 A
tOCP 过流保护抗尖峰时间 OCP_DEG = 00b 0.02 0.2 0.4 µs
OCP_DEG = 01b 0.2 0.6 1.2 µs
OCP_DEG = 10b 0.5 1.2 1.8 µs
OCP_DEG = 11b 0.9 1.6 2.5 µs
tRETRY 过流保护重试时间 425 500 575 ms
TOTW 热警告温度 芯片温度 (TJ) 135 145 155 °C
TOTW_HYS 热警告迟滞 芯片温度 (TJ) 15 20 30 °C
TTSD_BUCK 热关断温度（降压） 芯片温度 (TJ) 170 180 190 °C
TTSD_BUCK_HYS 热关断迟滞（降压） 芯片温度 (TJ) 15 20 30 °C
TTSD 热关断温度 (FET) 芯片温度 (TJ) 165 175 185 °C
TTSD_HYS 热关断迟滞 (FET) 芯片温度 (TJ) 15 20 30 °C
(1) RLBK 为电感器 LBK 的阻值。
(2) 如果 AVDD 关闭，则 I/O 引脚不得妨碍 SDA 和 SCL 线。
(3) SDA 和 SCL 总线的最大 tf (300ns) 长于输出级的额定最大 tof (250ns)。这允许在 SDA/SCL 引脚以及 SDA/SCL 总线之间连接串联保护电阻器 (Rs)，而不超过最大 tf 额定值。
(4) SDA 和 SCL 输入端的输入滤波器可抑制小于 50ns 的噪声尖峰。